[发明专利]一种太赫兹波段超材料传感器在审

专利信息
申请号: 201811342603.4 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109283155A 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 陈涛;张大鹏;张活;殷贤华;许川佩 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G01N21/3586 分类号: G01N21/3586;G01N21/45
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 石燕妮
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 谐振环 方形开口 传感器 太赫兹波段 超材料 谐振环阵列 亚波长金属 介质层 传感器设计 嵌套 四边 单元结构 方便清洗 批量制造 太赫兹波 谐振 附着 开口
【权利要求书】:

1.一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,该传感器包括介质层和附着在所述介质层上的亚波长金属谐振环阵列;其中,所述亚波长金属谐振环阵列包含至少4个谐振环单元,每个所述谐振环单元均包括四边开口的方形开口谐振环和置于所述方形开口谐振环内的方形谐振环;所述方形开口谐振环与所述方形谐振环均可在太赫兹波激励下实现谐振。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述方形开口谐振环为一中心对称但轴不对称的四开口谐振环。

3.根据权利要求2所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述四开口谐振环的每条边具有一长边和一短边,每条边的长边相等,每条边的短边相等;所述四开口谐振环的每条边的长边与相邻边的短边连接。

4.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述介质层材料为高阻硅、聚酰亚胺、石英晶体中的一种,厚度为50-100μm。

5.根据权利要求4所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述介质层材料为聚酰亚胺,厚度为65μm。

6.根据权利要求4所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述亚波长金属谐振环阵列的材料为金、银、铜中的一种,厚度为0.2-0.4μm。

7.根据权利要求6所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述亚波长金属谐振环阵列的材料为金,厚度为0.2μm。

8.根据权利要求7所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述亚波长金属谐振环阵列中相邻两个谐振环单元之间的间距为10μm。

9.根据权利要求8所述的一种太赫兹波段超材料传感器,其特征在于,所述方形开口谐振环的外边长a为84μm,环宽c为9μm;所述方形谐振环的外边长b为56μm,环宽d为7μm;所述开口大小e为6μm,开口处偏离中心位置的距离f为10μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811342603.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top