[发明专利]基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法在审

专利信息
申请号: 201811343464.7 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN109399558A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 余丙军;吴磊;范志涛;彭勇;汪红波;钱林茂 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 610031 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 砷化镓 加工 刻蚀 光化学 选择性刻蚀 表面纳米 刻蚀剂 表面纳米结构 紫外光化学 表面加工 常温常压 二维结构 光学结构 机械刻划 污染气体 压痕加工 压痕设备 划痕 清洗 洁净 图案
【权利要求书】:

1.一种基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1、采用机械刻划或压痕设备在洁净的砷化镓表面进行划痕或压痕加工;

S2、采用混合刻蚀剂对砷化镓表面进行紫外光化学辅助刻蚀,刻蚀完成后对砷化镓表面进行清洗,获得砷化镓表面纳米结构。

2.根据权利要求1所述的基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法,其特征在于:所述步骤S1中,利用扫描探针显微镜的金刚石针尖进行划痕加工,或采用纳米压痕仪Berkovich压头进行压痕加工。

3.根据权利要求2所述的基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法,其特征在于:所述步骤S1中,用于划痕制作的金刚石针尖的尖端曲率半径为20nm-5μm,优选为100nm-2μm;用于压痕制作的为Berkovich金刚石压头。

4.根据权利要求1所述的基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法,其特征在于:所述光化学辅助刻蚀装置的低压汞灯发射波长为184.9nm和253.7nm的紫外线。

5.根据权利要求1所述的基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法,其特征在于:所述步骤S2中,所述混合刻蚀剂为硫酸和过氧化氢的混合刻蚀剂,硫酸质量浓度为98%、过氧化氢质量浓度为30%,体积比为H2SO4:H2O2:H2O=1:0.5:100,刻蚀时间为30s-20min。

6.根据权利要求1-5任一所述的基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法,其特征在于:所述步骤S2中,依次采用丙酮和无水乙醇对砷化镓超声清洗,超声时间均为3min,并用连续的去离子水冲洗以去除表面的吸附物,冲洗时间为10min,再进行干燥处理。

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