[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：

第一电极板，所述第一电极板包括支撑区和振动区，且振动区的第一电极板内具有贯穿所述第一电极板厚度的开口；

位于所述支撑区的第一电极板上的牺牲层，且所述第一电极板的材料致密度大于所述牺牲层材料的致密度；

第二电极板，所述第二电极板包括贯穿所述牺牲层的连接部、位于所述支撑区上方的牺牲层上的支撑部以及位于所述振动区上方的振动部，所述支撑部与所述连接部相连，且所述支撑部通过所述连接部与所述第一电极板相连，所述连接部与所述第一电极板之间电绝缘，且所述第一电极板、振动部、支撑部以及连接部围成空腔；

位于所述支撑区的第一电极板上的第一电极层，且所述第一电极层与所述第一电极板电连接；

位于所述支撑部上的第二电极层，且所述第二电极层与所述第二电极板电连接。

2.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，所述连接部为柱状结构、封闭中空环状结构或者半封闭中空环状结构。

3.如权利要求1或2所述MEMS器件，其特征在于，在同一所述支撑区上方，所述连接部的数量为一个或多个。

4.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，在同一所述支撑区上方，所述连接部的数量为多个，其中，第一电极板、第二电极板的振动部和支撑部以及离所述振动区距离最近的连接部围成所述空腔。

5.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，所述第一电极板包括导电极板以及位于所述导电极板上的顶层绝缘极板；所述连接部位于所述顶层绝缘极板表面。

6.如权利要求5所述MEMS器件，其特征在于，所述第一电极板还包括，位于所述导电极板下方的底层绝缘极板。

7.如权利要求6所述MEMS器件，其特征在于，所述导电极板的材料为金属或者多晶硅；所述顶层绝缘极板的材料包括氮化硅、氮氧化硅或者氮碳氧化硅；所述底层绝缘极板的材料包括氮化硅、氮氧化硅或者氮碳氧化硅。

8.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，所述第一电极层与所述第二电极层分别位于所述振动部的相对两侧。

9.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，所述连接部与所述支撑部为一体结构。

10.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，还包括：位于所述振动区的第一电极板上的限位柱；保护层，所述保护层覆盖所述牺牲层远离所述振动区的侧壁，且还覆盖所述第一电极板远离所述振动区的侧壁。

11.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，还包括：贯穿所述牺牲层的导电孔，所述第一电极层位于所述导电孔底部。

12.如权利要求1所述MEMS器件，其特征在于，还包括：基板，所述基板具有贯穿所述基板厚度的背腔，所述第一电极板设置在所述基板上方，所述基板与第二电极板分别位于所述第一电极板相对的两侧，且所述背腔与所述空腔相连。

13.如权利要求12所述MEMS器件，其特征在于，还包括：位于所述基板与所述第一电极板之间的粘附层。