[发明专利]一种反熔丝存储器自检测和自修复方法在审
| 申请号： | 201811345443.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109524050A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孙轶君 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/44;G11C17/16 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 李巨智 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 编程器 读取 反熔丝存储器 自检测 自修复 冗余存储单元 编程操作 上位机 编程 电路 地址写入数据 存储器电路 地址单元 电路调节 冗余结构 数据通过 不一致 读操作 普适性 数据发 位地址 总线 替换 写入 芯片 维护 | ||
1.一种反熔丝存储器自检测和自修复方法，其特征在于：所述反熔丝存储器设置冗余存储单元；该方法包括以下步骤：
步骤1：编程器对当前地址写入数据，进行编程操作，并在编程结束后对编程的地址进行读操作，将读取的数据通过总线送至编程器；
步骤2：编程器将读取的数据发送给上位机，由上位机将读取的数据与写入的数据进行比较，并将比较结果发送给编程器，如果比较结果一致，则进行下一位地址的编程操作，如果比较结果不一致，则利用冗余存储单元替换产生该结果的地址单元。
2.根据权利要求1所述的反熔丝存储器自检测和自修复方法，其特征在于：所述冗余存储单元与反熔丝存储器的比例为每64个byte单元增加1个byte的冗余单元。
3.根据权利要求1所述的反熔丝存储器自检测和自修复方法，其特征在于：所述在编程结束后对编程的地址进行读操作为：
在电路内部增加一个check信号，check信号在电路中进行读操作。
4.根据权利要求1所述的反熔丝存储器自检测和自修复方法，其特征在于：所述利用冗余存储单元替换产生该结果的地址单元为：
编程器产生一个INSTEAD信号给电路内部，电路内部识别此信号有效后，将对地址译码逻辑进行逻辑转换，将冗余单元地址替换为当前地址，并重新进行高压编程操作。
5.根据权利要求1所述的反熔丝存储器自检测和自修复方法，其特征在于：如果冗余单元出现校验后数据不一致的情况，则再次产生有效的INSTEAD信号，并更换冗余单元的地址。
6.根据权利要求1所述的反熔丝存储器自检测和自修复方法，其特征在于：所述编程器：
产生check信号给电路，并对电路进行读操作；
根据上位机的比较结果进行下一位地址的编程操作，或
产生INSTEAD信号给电路。
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