[发明专利]一种RTA退火炉校温方法

权利要求书

1.一种用于四元系AlGaInP LED芯片的RTA退火炉校温方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)制作校温用陪片：将4片350μm厚度的GaAs衬底研磨到200μm厚度，背面经过丙酮、异丙醇清洗后，采用电子束蒸镀方式蒸镀AuGe，其厚度为200nm；

(2)设置好退火程序，将4片制作好的校温陪片背面朝上放置在RTA退火SiC托盘上进行退火；

(3)将退火过的陪片通过旋转涂正胶，经过烘烤、曝光、显影，在陪片背面制作出100μm×100μm、间距为100μm的方形图形单元；

(4)利用金属蚀刻液腐蚀陪片没有被胶保护的区域，用去胶液去除光刻胶后，在陪片背面制作出100μm×100μm、间距为100μm的AuGe图形单元；

(5)利用欧姆测试仪测试相邻两颗AuGe图形之间的电阻，即实际就是测量金属和衬底之间的欧姆阻值大小，＜5Ω的阻值认为已经形成良好的欧姆接触，用于定义测得的电阻值在5-10Ω时为临界温度；通过测量欧姆阻值的大小变化来判断温场的变化和分布，通过设定不同温度试验找到该电阻在接近良好欧姆接触的特定范围的温度，定义该温度为临界温度，在此温度基础上增加窗口温度即可得到安全的目标工艺温度。