[发明专利]原料存储罐及半导体设备

说明书

本发明提供一种原料存储罐及半导体设备。原料存储罐包括存储罐本体、加热装置和盒盖；存储罐本体用于容纳制程原料；加热装置位于存储罐本体上，用于加热制程原料以加快制程原料的挥发；盒盖位于存储罐本体上，盒盖上设置有至少一个供气口，挥发的制程原料通过供气口导出存储罐本体。本发明的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本发明可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质；采用本发明的半导体设备，可有效缩短制程工艺时间，可显著提高生产效率及生产良率，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种原料存储罐及半导体设备。

背景技术

光刻工艺是半导体芯片制造过程中非常重要的一道工艺，它是利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到晶圆表面以形成有效图形窗口或功能图形的过程，一般要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。这其中，光刻胶的涂布质量直接影响到光刻图形的质量，只有均匀的涂胶才能确保后续光刻图形的品质。但现有的光刻胶绝大多数是疏水性的，而晶圆表面通常是亲水性的，这造成光刻胶和晶圆的黏合性较差，使得显影时显影液会侵入光刻胶和晶圆的连接处,容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形品质下降甚至图形转移失败。为改善此类问题，增粘剂被大量使用，在涂布腔室内将诸如HMDS(六甲基二硅胺烷)之类的增粘剂经加热生成以硅氧烷为主体的化合物涂到晶圆表面后，可成功地将晶圆表面由亲水性变为疏水性，使得晶圆和光刻胶能很好地黏合，有效提升光刻图形品质。但现有技术中喷涂增粘剂主要使用液体喷涂或借助载气携带增粘剂液体进行喷涂的方式。液体喷涂容易产生涂布不均的问题，而借助载气携带增粘剂液体进行喷涂的方式中，增粘剂的含量很低，使得涂布时间较长(一般单片晶圆单次喷涂时间在一分钟以上)，导致设备产出率下降，生产成本上升。此外，因增粘剂液体在载气中的分布不均匀还容易导致涂布质量下降，影响光刻图形品质。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种原料存储罐及半导体设备，用于解决现有技术中，因采用液体涂布容易产生涂布不均，而载气携带增粘剂液体喷涂的方式中，增粘剂的含量很低，使得涂布时间延长，导致设备产出率下降、生产成本上升，且增粘剂液体在载气中的分布不均匀导致涂布质量下降影响光刻图形品质等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种原料存储罐，包括存储罐本体、加热装置和盒盖；所述存储罐本体用于容纳制程原料；所述加热装置位于所述存储罐本体上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；所述盒盖位于所述存储罐本体上，所述盒盖上设置有供气口，挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。

可选地，所述制程原料包括增粘剂，所述加热装置包括电阻加热器。

可选地，所述加热装置位于所述存储罐本体的外围且环绕包覆所述存储罐本体的侧壁及底部。

可选地，所述存储罐本体和所述加热装置之间具有间隙，所述间隙内填充有导热介质。

可选地，所述盒盖上还设置有至少一个载气口，所述载气口通过载气管路连接至载气源，用于将载气通入至所述存储罐本体内以将挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。

可选地，所述载气口和所述供气口均包括多个，多个所述载气口和多个所述供气口沿所述盒盖的周向均匀间距分布。

可选地，所述原料存储罐还包括保温壳，位于所述加热装置的外围。

可选地，所述原料存储罐还包括温控装置，所述温控装置与所述加热装置相连接，用于控制所述加热装置的导通或断开。