[发明专利]像素电路及其驱动方法、阵列基板有效

专利信息
申请号: 201811345860.3 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN109243368B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 高雪岭;彭宽军 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225;G09G3/3233
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 阵列
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

发光单元,用于发光;

驱动单元,用于根据加载在所述驱动单元上的驱动电压驱动发光单元发光;

存储单元,用于存储加载给所述驱动单元的驱动电压;

写入单元,用于将数据电压写入所述存储单元;

补偿单元,用于将补偿电压写入所述存储单元,以通过所述数据电压和所述补偿电压得到所述驱动电压;

其中,所述写入单元将来自驱动芯片的数据电压写入所述存储单元中;

所述发光单元包括有机发光二极管,所述有机发光二极管的第一极连接第一电压端;

所述驱动单元包括第一晶体管,所述第一晶体管的第二极连接第二电压端,所述第一晶体管的栅极连接所述存储单元;

所述有机发光二极管与所述第一晶体管串联在所述第一电压端与所述第二电压端之间;

所述像素电路还包括控制单元,用于控制所述发光单元是否发光,所述控制单元包括:

第二晶体管,所述第二晶体管的第一极连接所述有机发光二极管的第二极,所述第二晶体管的第二极连接所述第一晶体管的第一极,所述第二晶体管的栅极连接控制电压端;

所述补偿单元包括第三晶体管、第四晶体管、补偿电容;其中,

所述第三晶体管的第一极连接所述补偿电容的第二极,所述第三晶体管的第二极连接零电压端,所述第三晶体管的栅极连接第一栅电压端;

所述第四晶体管的第一极连接补偿电压端,所述第四晶体管的第二极连接所述补偿电容的第二极,所述第四晶体管的栅极连接第二栅电压端;

所述补偿电容的第一极连接所述第一晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,

所述第一晶体管为N型晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,

所述存储单元包括存储电容,所述存储电容的第一极连接所述第一电压端,所述存储电容的第二极连接所述第一晶体管的栅极。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,

所述写入单元包括第五晶体管,所述第五晶体管的第一极连接数据电压端,所述第五晶体管的第二极连接所述第一晶体管的栅极,所述第五晶体管的栅极连接所述第一栅电压端。

5.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,

所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管均为N型晶体管;

或者,

所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管均为P型晶体管。

6.一种像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路为权利要求1至5中任意一项所述的像素电路,所述像素电路的驱动方法包括:

写入阶段:通过所述写入单元将所述数据电压写入所述存储单元;

补偿阶段:通过所述补偿单元将所述补偿电压写入所述存储单元,以通过所述数据电压和所述补偿电压得到所述驱动电压;

保持阶段:使所述驱动单元根据加载在所述驱动单元上的驱动电压驱动发光单元发光;

其中,所述写入单元将来自驱动芯片的数据电压写入所述存储单元中;

所述像素电路为权利要求1所述的像素电路,所述写入阶段、补偿阶段、保持阶段还包括:

写入阶段:向控制电压端提供关断电压;

补偿阶段:向控制电压端提供关断电压;

保持阶段:向控制电压端提供导通电压。

7.根据权利要求6所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路为权利要求5所述的像素电路,所述写入阶段、补偿阶段、保持阶段具体包括:

写入阶段:向第一栅电压端提供导通电压,向第二栅电压端提供关断电压,向数据电压端提供数据电压,向零电压端提供0V的电压;

补偿阶段:向第一栅电压端提供关断电压,向第二栅电压端提供导通电压,向补偿电压端提供补偿电压;

保持阶段:向第一栅电压端提供关断电压,向第二栅电压端提供关断电压。

8.一种阵列基板,其特征在于,包括:

多个排成阵列的像素电路,所述像素电路为权利要求1至5中任意一项所述的像素电路。

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