[发明专利]基座环组合件

说明书

本公开提供一种供在半导体处理工具中使用的基座环组合件包括：上部环板，具有穿透所述上部环板而形成的开孔；下部环，被配置成与所述上部环板互锁在一起，所述上部环板包括：第一上部环壁，沿着所述开孔从所述上部环板延伸出；第二上部环壁，从所述上部环板延伸出且与所述第一上部环壁同心；桥，在所述第一上部环壁与所述第二上部环壁之间延伸，所述下部环包括：下部环壁，与所述第一上部环壁同心，其中所述下部环壁被配置成抵靠所述第一上部环壁；以及下部板，与所述桥平行且从所述下部环壁延伸出。

技术领域

本发明实施例涉及一种基座环组合件。

背景技术

在半导体装置(例如，晶体管、二极管及集成电路)的处理中，通常会在一片薄的半导体材料(例如，衬底、晶片或工件)上同时制作多个此种装置。在此种半导体装置的制造期间的半导体处理步骤的一个实例中，通常将衬底或其他工件运输到反应腔室中，在所述反应腔室中，在衬底的暴露表面上沉积材料薄膜或材料层。一旦沉积了所需厚度的材料层，便可将衬底在反应腔室内进行进一步处理或者从反应腔室中运输出以进行进一步处理。

衬底通常是通过晶片搬运机构被转移到反应腔室中。晶片搬运机构从反应腔室之外的位置(position)举起衬底，并通过在反应腔室的壁中形成的阀门将衬底插入到反应腔室中。一旦衬底被转移到反应腔室中，便将衬底下降到基座(susceptor)上以设置在所述基座上。在衬底被接纳在基座上之后，从反应腔室抽回晶片搬运机构，并关闭阀门以便可开始对衬底的处理。在实施例中，基座环邻近在处理期间上面设置有衬底的基座而定位且环绕所述基座。基座环可容置热电偶，所述热电偶被配置成在处理期间收集温度传感器数据。

至少因反应腔室内的温度波动以及基座环所暴露于的高温度，基座环中可能形成间隙或空间。这些空间常常使得工艺气体能够进入热电偶所在的间隙。工艺气体可接触基座环内的热电偶的外表面并造成热电偶的劣化。热电偶的劣化可导致所测量温度的准确性的降低以及热电偶寿命的缩短。因此，传统的基座环组合件并不完全令人满意。

发明内容

根据本发明的实施例，一种供在半导体处理工具中使用的基座环组合件包括：上部环板，具有穿透所述上部环板而形成的开孔；下部环，被配置成与所述上部环板互锁在一起，所述上部环板包括：第一上部环壁，沿着所述开孔从所述上部环板延伸出；第二上部环壁，从所述上部环板延伸出且与所述第一上部环壁同心；桥，在所述第一上部环壁与所述第二上部环壁之间延伸，所述下部环包括：下部环壁，与所述第一上部环壁同心，其中所述下部环壁被配置成抵靠所述第一上部环壁；以及下部板，与所述桥平行且从所述下部环壁延伸出。

根据本发明的实施例，一种供在半导体处理工具中使用的基座环组合件包括：上部环，具有穿透所述上部环而形成的开孔；以及下部环，被配置成与所述上部环互锁在一起，所述上部环包括：第一上部环壁，沿着所述开孔从所述上部环延伸出；第二上部环壁，从所述上部环延伸出且与所述第一上部环壁同心，所述下部环包括：下部环壁，与所述第一上部环壁同心，其中所述下部环壁被配置成抵靠所述第一上部环壁；以及下部板，以直角从所述下部环壁延伸出。

根据本发明的实施例，一种组装基座环组合件的方法包括：将热电偶插入到上部环中；将下部环与所述上部环互锁在一起，其中所述上部环包括：开孔，穿透所述上部环而形成，第一上部环壁，沿着所述开孔从所述上部环延伸出；以及第二上部环壁，从所述上部环延伸出且与所述第一上部环壁同心，其中所述热电偶被插入所述第一上部环壁与所述第二上部环壁之间；桥，在所述第一上部环壁与所述第二上部环壁之间延伸，其中所述下部环包括：下部环壁，与所述第一上部环壁同心，其中所述下部环壁被配置成抵靠所述第一上部环壁；以及下部板，与所述桥平行且从所述下部环壁延伸出。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，各种特征未必按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸及几何形状。