[发明专利]晶体硅表面倒金字塔的制备方法在审
| 申请号： | 201811345978.6 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109545890A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 薛艳龙;李剑;包卫锋;顾生刚;杨二存 | 申请（专利权）人： | 江西合创光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/12 |
| 代理公司： | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人： | 沈毅 |
| 地址： | 330000 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体硅表面 制备 倒金字塔 吸收率 倒金字塔绒面结构 光电转换效率 纳米压印技术 光刻胶图形 周期性排列 晶体硅片 刻蚀设备 纳米加工 刻蚀 微电子 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅表面倒金字塔的制备方法，其特征在于：
该制备方法包括，
第一步、硅片表面制作特定图形：将光刻胶采用真空喷涂的方式均匀喷涂在硅片表面；
第二步、刻蚀图形：将该晶体硅片置于RIE刻蚀设备中，选用SF6为刻蚀气体并设定具体的工艺参数，刻蚀速率：0.5-3um/min，SF6流量：20-50 sccm，气体压强：10-30Pa，射频功率：200-500W。
2.如权利要求1所述的晶体硅表面倒金字塔的制备方法，其特征在于：所述光刻胶的粘度为5-10cps。
3.如权利要求1所述的晶体硅表面倒金字塔的制备方法，其特征在于：所述光刻胶喷涂的厚度为1.3um。
4.如权利要求1所述的晶体硅表面倒金字塔的制备方法，其特征在于：所述表面刻蚀图形呈倒金字塔，开口尺寸范围为1-5um，深度为1-5um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
