[发明专利]湿式处理设备及其处理方法有效
申请号: | 201811345994.5 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN111048436B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 易健民 | 申请(专利权)人: | 智优科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;史瞳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 及其 方法 | ||
一种湿式处理设备及其处理方法,该湿式处理设备适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理,湿式处理设备包含输送装置、蚀刻区、第一清洗区、去氧化区及第二清洗区。输送装置可输送承载治具移动。蚀刻区具有用以供输送装置所输送的承载治具浸泡以蚀刻芯片的多个引脚的第一药液。第一清洗区位于蚀刻区下游侧用以清洗经由蚀刻区输出的承载治具上的芯片。去氧化区位于第一清洗区下游侧并具有用以供输送装置所输送的承载治具浸泡以对各芯片的引脚产生去氧化反应的第二药液。第二清洗区位于去氧化区下游侧用以清洗经由去氧化区输出的承载治具上的芯片。
技术领域
本发明涉及一种湿式处理设备,特别是涉及一种用以对封装后的芯片进行湿式化学处理的湿式处理设备及其处理方法。
背景技术
现有通过四方平面无引脚封装(QFN)方式封装后的料片,需再通过切割机对料片进行锯切以将其区分出多个芯片。切割机的锯切刀在锯切料片的绝缘封装体过程中,因锯切时所产生的高温易造成各芯片侧边的金属引脚产生部分熔融的状态,使得锯切刀在移动时很容易拉动前述熔融金属移动而形成丝状的金属丝。
其中,当金属丝直接连接在两个相邻的引脚之间时会造成芯片短路。当金属丝由其中一引脚拉出但与另一相邻的引脚相间隔时,或者是熔融金属未被拉成金属丝时,则不会造成芯片短路。虽然前述两种情形不会立即造成芯片短路,但是,芯片在长时间热胀冷缩的使用环境影响下,金属丝或者是引脚会有迁移(mi grat ion)现象,易造成金属丝与另一相邻引脚接触或者是两个相邻的引脚相互接触,进而导致芯片短路的情形产生。
发明内容
因此,本发明的一目的,在于提供一种能够克服背景技术的至少一个缺点的湿式处理设备。
本发明的目的及解决背景技术问题是采用以下技术方案来实现的,依据本发明提出的湿式处理设备,适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理。
所述湿式处理设备包含输送装置、蚀刻区、第一清洗区、去氧化区,及第二清洗区,所述输送装置可沿第一输送方向输送所述承载治具移动,所述蚀刻区具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以蚀刻每一个所述芯片的多个引脚的第一药液,所述第一清洗区位于所述蚀刻区下游侧用以清洗经由所述蚀刻区输出的所述承载治具上的所述芯片,所述去氧化区位于所述第一清洗区下游侧,并具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以对每一个所述芯片的所述引脚产生去氧化反应的第二药液,所述第二清洗区位于所述去氧化区下游侧用以清洗经由所述去氧化区输出的所述承载治具上的所述芯片。
本发明的湿式处理设备,所述蚀刻区形成用以供所述承载治具穿过并容置有所述第一药液的第一药液槽,所述蚀刻区包括位于所述第一药液槽下游侧的两个第一喷头及两个第一侧喷嘴,所述第一喷头沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔,用以对所述承载治具上的所述芯片喷气以移除所述第一药液,所述第一侧喷嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔,用以对所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述第一药液。
本发明的湿式处理设备,所述蚀刻区还包括多个设置于所述第一药液槽内的第一药液喷头,所述第一药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液,而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液,所述第一侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气,而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。
本发明的湿式处理设备,所述第一清洗区包括第一清洗段,及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段,所述第一清洗段包含两个沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔的第一喷水头,及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头,所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水,所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水,所述第二清洗段形成有水槽,所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水,所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头,及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头,所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水,所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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