[发明专利]产生双极时钟信号的电平移位器电路

说明书

本公开涉及产生双极时钟信号的电平移位器电路。在一些实例中，电平移位器电路(110)包括：第一晶体管对(237)，其在第一输入节点(203)处级联；第二晶体管对(239)，其在第二输入节点(207)处级联，其中所述第一和第二晶体管对在第一节点(213)、第二节点(211)、第三节点(215)和第四节点(217)处耦合；第三晶体管对(219)，其在所述第一节点和所述第三节点处耦合到所述第一晶体管对，其中所述第三晶体管对被配置成产生第一双极时钟信号；第四晶体管对(229)，其在所述第二节点和所述第四节点处耦合到所述第二晶体管对，其中所述第四晶体管对被配置成产生第二双极时钟信号；以及时钟产生电路(240)，其耦合到所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点。

相关申请的交叉引用

本申请案要求第62/589,133号美国临时专利申请的优先权，其于2017年11月21日递交，标题为“具有电压摆幅倍增性能的电平转换器(Level Translator With VoltageSwing Doubling Capability)”，且由此以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及电路，并且更具体地说，涉及产生双极时钟信号的电平移位器电路。

背景技术

电平移位器电路将输入信号从一个电压电平转换到另一个电压电平。这一转换允许以不同电压电平操作的两个电路彼此兼容。举例来说，在以1.8V操作的低功率应用程序处理器与以3.3或5V操作的模拟电路之间，需要电平移位器，以便使合并的系统可靠地执行。

发明内容

根据本公开的至少一个实例，一种电平移位器电路被配置成产生第一双极时钟信号和第二双极时钟信号，所述电平移位器电路包括：在第一输入节点处级联的第一晶体管对；在第二输入节点处级联的第二晶体管对，其中所述第一和第二晶体管对在第一节点、第二节点、第三节点和第四节点处耦合。所述电平移位器电路进一步包括：第三晶体管对，其在所述第一节点和所述第三节点处耦合到所述第一晶体管对，其中所述第三晶体管对被配置成产生所述第一双极时钟信号；第四晶体管对，其在所述第二节点和所述第四节点处耦合到所述第二晶体管对，其中所述第四晶体管对被配置成产生所述第二双极时钟信号；以及时钟产生电路，其耦合到所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点，其中所述时钟产生电路被配置成在所述第一节点处产生第一时钟，在所述第二节点处产生第二时钟，在所述第三节点处产生第三时钟，及在所述第四节点处产生第四时钟。

根据本公开的至少一个实例，一种系统包括：第一金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor；MOSFET)，其具有第一源极端、第一漏极端和第一栅极端；第二MOSFET，其具有第二源极端、第二漏极端和第二栅极端，其中所述第一源极端在第一输入节点处耦合到所述第二源极端；第三MOSFET，其具有第三源极端、第三漏极端和第三栅极端；第四MOSFET，其具有第四源极端、第四漏极端和第四栅极端，其中所述第三源极端在第二输入节点处耦合到所述第四源极端。所述系统进一步包括：第一晶体管电路，其耦合到所述第一漏极端、所述第二漏极端和所述第一输入节点；以及第二晶体管电路，其耦合到所述第三漏极端、所述第四漏极端和所述第二输入节点，其中所述第一漏极端在第一节点处耦合到所述第三栅极端，所述第三漏极端在第二节点处耦合到所述第一栅极端，所述第二漏极端在第三节点处耦合到所述第四栅极端，且所述第四漏极端在第四节点处耦合到所述第二栅极端，其中所述第一节点耦合到被配置成接收第一时钟信号的第一电容器，所述第二节点耦合到被配置成接收第二时钟信号的第二电容器，所述第三节点耦合到被配置成接收第三时钟信号的第三电容器，所述第四节点耦合到被配置成接收第四时钟信号的第四电容器，其中所述第一、第二、第三和第四时钟在第一电压电平与第二电压电平之间振荡。