[发明专利]一种晶圆级器件集成方法及集成结构在审
申请号: | 201811347414.6 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN111180382A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 刘孟彬 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 315899 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆级 器件 集成 方法 结构 | ||
1.一种晶圆级器件集成方法,其特征在于,包括以下步骤:
将多个待集成元件相互间隔临时键合于承载部上;
形成塑封层,所述塑封层覆盖所述承载部以及所述待集成元件;
去除所述承载部,将所述塑封层远离所述待集成元件的一面与第一基底进行键合;
在所述塑封层上形成第一布线层,与所述待集成元件连接;
将所述第一基底形成有第一布线层的一面与第二基底形成有多个器件结构的一面进行键合;
在所述第二基底上形成多个第一通孔与多个第二通孔,其中所述第一通孔暴露出所述器件结构,所述第二通孔暴露出所述第一布线层;以及,
形成第二布线层,所述第二布线层通过所述第一通孔与所述器件结构连接,通过所述第二通孔与所述第一布线层连接,以使所述待集成元件与所述器件结构在垂直于所述第二基底的方向上互连。
2.如权利要求1所述的器件集成方法,其特征在于,还包括:
形成一钝化层,所述钝化层覆盖所述第二布线层与所述第二基底;
在所述钝化层中形成多个钝化层开口,所述钝化层开口暴露所述第二布线层;以及,
去除所述第一基底。
3.如权利要求2所述的器件集成方法,其特征在于,形成所述塑封层之后,先去除所述承载部,再将所述塑封层与所述第一基底进行键合;或者,
形成所述塑封层之后,先将所述塑封层与所述第一基底进行键合,再去除所述承载部。
4.如权利要求1所述的器件集成方法,其特征在于,所述待集成元件具有正面与背面,所述待集成元件的正面固定于所述承载部上。
5.如权利要求4所述的器件集成方法,其特征在于,通过胶合层将多个所述待集成元件间隔固定于所述承载部上。
6.如权利要求5所述的器件集成方法,其特征在于,所述胶合层包含粘片膜或干膜。
7.如权利要求1所述的器件集成方法,其特征在于,采用热压注塑成型工艺形成所述塑封层。
8.如权利要求1所述的器件集成方法,其特征在于,将所述塑封层与所述第一基底进行键合之前,还包括:
在所述塑封层或所述第一基底的键合面上形成第一键合层。
9.如权利要求1所述的器件集成方法,其特征在于,在所述待集成元件上形成第一布线层的步骤包括:
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述待集成元件与所述塑封层;
在所述绝缘层中形成多个绝缘层开口,所述绝缘层开口暴露所述待集成元件;以及,
在所述绝缘层开口内填充导电材料以形成所述第一布线层,所述第一布线层通过所述绝缘层开口与所述待集成元件连接。
10.如权利要求1所述的器件集成方法,其特征在于,将所述第一基底与所述第二基底进行键合之前,还包括:
在所述第一基底或第二基底的键合面上形成第二键合层。
11.如权利要求10所述的器件集成方法,其特征在于,在所述第二基底上形成多个第一通孔与多个第二通孔的步骤包括:
在所述第二基底上形成图案化的掩膜层;
以图案化的掩膜层为掩膜,对所述第二基底进行刻蚀,以形成暴露所述器件结构的多个第一通孔与暴露所述第二键合层的多个第三通孔;
对暴露出的所述第二键合层进行刻蚀,至暴露出所述第一布线层,以在所述第三通孔内形成第二通孔。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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