[发明专利]晶圆处理设备以及晶圆处理方法

权利要求书

1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：

用于放置晶圆的腔体，所述腔体的侧壁上设有能够被开启和被关闭的闸门；

设置在所述腔体一侧上且原厂开关闸门的速度不可调的阀机构，所述阀机构包括气缸、设置在所述气缸内的阀膜、与所述阀膜连接的气动连杆以及与所述气缸连通的多个通气口，所述气动连杆连接所述闸门，用于开启和关闭所述闸门；以及，

设置在所述阀机构的至少一个所述通气口处的延迟控制装置，所述延迟控制装置用于控制所述通气口的进气或出气的快慢，以延长所述阀机构开启所述闸门的开启时间和/或延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

2.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述延迟控制装置为开关速度可调的机械阀，所述机械阀为针型阀、截止阀、闸阀、旋塞阀、球阀或蝶阀。

3.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述延迟控制装置为电磁阀或具有传感器的电子阀。

4.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述延迟控制装置将所述阀机构开启所述闸门的开启时间和/或关闭所述闸门的关闭时间延长1s～10s。

5.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述阀机构还包括设置于所述气缸的外部的阀盖，所述阀盖的一端固定连接所述气动连杆伸出所述气缸外部的一端，所述阀盖的另一端固定连接所述闸门，所述阀盖升起时，所述闸门关闭所述腔体，所述延迟控制装置设置在用于出气的所述通气口处，以延长所述阀盖升起的时间，进而延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

6.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备为薄膜沉积设备、刻蚀设备、光刻设备、离子注入设备或扩散炉设备。

7.如权利要求1至6中任一项所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述腔体为反应室、传送室、清洗室、干燥室或冷却室。

8.一种晶圆处理方法，其特征在于，采用权利要求1至7中任一项所述的晶圆处理设备来对晶圆进行处理，并在需要通过原厂开关闸门的速度不可调的阀机构开启和/或关闭所述晶圆处理设备的腔体上的闸门时，通过所述晶圆处理设备中的所述延迟控制装置阀机构延长所述阀机构开启所述闸门的开启时间和/或延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

9.如权利要求8所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理设备为薄膜沉积设备，在所述晶圆处理设备中向所述晶圆表面沉积薄膜且所述薄膜沉积完成后需要取出所述晶圆时，通过所述延迟控制装置延长所述薄膜沉积设备的所述阀机构开启所述闸门的开启时间；和/或，在所述晶圆处理设备中放入所述晶圆且在向所述晶圆表面沉积薄膜之前，通过所述延迟控制装置延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

10.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆处理设备，所述晶圆处理设备具有用于放置晶圆的腔体以及设置在所述腔体一侧上且原厂开关闸门的速度不可调的阀机构，所述腔体的侧壁上设有能够被所述阀机构开启和关闭的闸门，所述阀机构包括气缸、设置在所述气缸内的阀膜、与所述阀膜连接的气动连杆以及与所述气缸连通的多个通气口，所述气动连杆连接所述闸门，用于开启和关闭所述闸门；

在所述阀机构的至少一个所述通气口处增设一延迟控制装置；

通过所述阀机构开启所述闸门，以打开所述腔体，并将一待处理晶圆放入所述腔体中；

通过所述阀机构关闭所述闸门，以关闭所述腔体，并在所述腔体中对所述晶圆进行加工；

在所述晶圆加工完成后，再次通过所述阀机构开启所述闸门，以打开所述腔体，并将所述晶圆从所述腔体中取出；

其中，在通过所述阀机构关闭所述闸门时，通过所述延迟控制装置阀机构延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间，和/或，在通过所述阀机构开启所述闸门时，通过所述延迟控制装置延长所述阀机构开启所述闸门的开启时间。