[发明专利]3D NAND闪存的制作方法和连接结构

权利要求书

1.一种3D NAND闪存的制作方法，其特征在于，包括：

向3D NAND闪存的接触窗所在位置注入目标原子，其中，注入的所述目标原子与所述接触窗底部的外围电路区硅晶胞中晶格点处的硅原子发生碰撞，使得所述硅原子发生位移从而在所述硅晶胞中产生间隙，所述目标原子为硅，锗，锡，铅中的至少一种；

利用加热使得所述3D NAND闪存的源区或漏区中的硼原子移动到所述间隙，以使接触窗底部的硼原子在第一区域的浓度高于在第二区域的浓度；其中，所述第一区域为所述接触窗底部正对着的所述源区或所述漏区中的区域；所述第二区域为所述源区或所述漏区中所述第一区域以外的区域。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述利用加热使得所述3D NAND闪存中的硼原子移动到所述间隙，包括：

通过快速热退火工艺，使得所述3D NAND闪存中的所述硼原子移动到所述间隙。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

刻蚀所述外围电路区上的介质层，形成所述接触孔，其中，所述接触孔的底部与所述源区或所述漏区相连接；

向所述接触孔中沉积金属，形成接触窗。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述目标原子的运动能量为10KeV至30KeV。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

注入所述目标原子的剂量为1.0E13/cm²至1.0E15/cm²。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述加热的目标温度为700℃至1000℃。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

当所述加热达到目标温度时，在所述目标温度的保持时间为5s至15s。

8.一种3D NAND闪存的连接结构，其特征在于，包括：

接触窗，所述接触窗的底部与3D NAND闪存的外围电路区的源区或漏区相接触；

所述接触窗底部的硼原子在第一区域的浓度高于在第二区域的浓度；其中，所述第一区域为所述接触窗底部正对着的所述源区或所述漏区中的区域，所述第一区域包括所述外围电路区与所述接触窗底部的接触位置；所述第二区域为所述源区或所述漏区中所述第一区域以外的区域；

其中，向3D NAND闪存的接触窗所在位置注入目标原子，所述目标原子与所述接触窗底部的外围电路区硅晶胞中晶格点处的硅原子发生碰撞，使得所述硅原子发生位移从而在所述硅晶胞中产生间隙；

利用加热使得所述3D NAND闪存的源区或漏区中的硼原子移动到所述间隙，以使接触窗底部的硼原子在第一区域的浓度高于在第二区域的浓度。

9.根据权利要求8所述的连接结构，其特征在于，

所述接触窗底部的硼原子在第一区域的浓度高于在第二区域的浓度，包括：

所述接触窗底部的硼原子在所述第一区域和所述第二区域的浓度曲线与高斯分布曲线满足预设相似条件。

10.根据权利要求8所述的连接结构，其特征在于，

所述接触窗依次穿过第一介质层、第二介质层及第三介质层，并与所述源区或所述漏区接触；

其中，所述第一介质层的成分为氧化硅或氮氧化硅；

所述第二介质层的成分为氮化硅；

所述第三介质层的成分为氧化硅或氮氧化硅。