[发明专利]TZO陶瓷镀膜材料的制备方法及TZO材料在审

专利信息
申请号: 201811349096.7 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN109336584A 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 孔伟华;董冬青 申请(专利权)人: 江苏迪丞光电材料有限公司
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221300 江苏省徐州市邳*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 制备 陶瓷镀膜 透过率 素坯 致密 大面积镀膜 新材料领域 节能玻璃 均匀致密 原料制备 烧结 薄膜 应用
【说明书】:

TZO陶瓷镀膜材料的制备方法及TZO材料。本发明属于新材料领域,具体涉及一种TZO材料的制备方法,包括:制备TZO原料;通过TZO原料制备素坯;以及将素坯烧结致密,形成所述TZO材料,具有薄膜均匀致密、透过率高、性能稳定的特点。本发明的制备方法不仅可以提高透过率,还适于大面积镀膜的节能玻璃产业的应用。

技术领域

本发明涉及新材料领域,具体涉及一种TZO陶瓷镀膜材料的制备方法及TZO材料。

背景技术

据统计,将近50%的建筑物热能通过门窗散失,节能玻璃的使用是建筑节能的重大改进。目前,节能玻璃在德国的使用率达到92%,美国为90%,日本为85%,中国的使用率不到10%。国家要求到2020年,新增建筑达到节能65%的目标,节能玻璃具有极大的应用潜力。

但是随着节能玻璃技术标准的提高,遮阳系数小于0.2、透过率大于80%的高透LOW-E玻璃将逐步成为主流,传统的low-e产品性能已无法满足要求。

目前使用锌锡合金、锌铝合金、氧化锌铝等溅射材料做成节能玻璃的透过率一般在70%左右。

基于此,本申请了提供了一种ZnO+SnO2(简称TZO)半导体镀膜材料的制备方法,制备的半导体材料可以采用磁控溅射方式制成LOW-E可钢化节能玻璃,使其透过率达到85%以上。

发明内容

本发明的目的是提供一种TZO材料的制备方法及TZO材料,以提高透过率。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种TZO材料的制备方法,包括:制备TZO原料;通过TZO原料制备素坯;将素坯烧结致密,形成所述TZO材料。

进一步,所述制备TZO原料得方法包括:先将ZnO粉体和SnO2粉体混合;再加入适量去离子水、添加剂和有机助剂,球磨得到料浆;以及最后喷雾干燥造粒处理,得到TZO原料。

进一步,所述ZnO粉体为50-90重量份;所述SnO2粉体为10-50重量份;以及所述ZnO粉体和SnO2粉体的粒径均为0.01-20μm。其中,所述ZnO粉体的纯度至少为99.97%;SnO2粉体的纯度至少为99.9%。

进一步,所述添加剂包括Al2O3粉体、AlF3粉体、Ga2O3粉体、In2O3粉体中的一种或几种;所述添加剂为0.1-0.5重量份。

进一步,所述有机助剂包括聚丙烯酸胺、聚乙烯醇中的一种或几种。

进一步,所述素坯适于通过将TZO原料注模成型或者冷等静压成型;所述素坯的相对密度至少为50%。

进一步,将素坯在1000-1500℃空气或氩气气氛炉烧结1-6h,经过加工得到所述TZO材料;其中,所述TZO材料的相对密度在95%以上。

另一方面,本发明还提供了一种TZO原料的制备方法,包括:先将ZnO粉体和SnO2粉体混合;再加入适量去离子水、添加剂和有机助剂,球磨得到料浆;以及最后喷雾干燥造粒处理,得到TZO原料。

进一步,所述ZnO粉体为50-90重量份;所述SnO2粉体为10-50重量份;所述ZnO粉体和SnO2粉体的粒径均为0.1-20μm;所述添加剂包括Al2O3粉体、AlF3粉体、Ga2O3粉体、In2O3粉体中的一种或几种;所述添加剂为0.1-0.5重量份;以及所述有机助剂包括聚丙烯酸胺、聚乙烯醇中的一种或几种。

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