[发明专利]缺陷检测方法及缺陷检测系统

权利要求书

1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法包括步骤：

1)使用短波光及长波光分别对待检测晶圆各区域进行交替脉冲式扫描；

2)接收所述待检测晶圆对所述短波光进行反射的短波反射光信号及对所述长波光进行反射的长波反射光信号；

3)去除位于预设强度范围之外的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号，并去除所述待检测晶圆同一区域反射的、且位于所述预设强度范围之内的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号二者中的强度较小者；

4)依据保留的所述短波反射光信号及保留的所述长波反射光信号形成缺陷图形以进行缺陷检测。

2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，步骤1)中，所述短波光的波长为255nm～380nm，所述长波光的波长为380nm～550nm。

3.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤3)中所述的预设强度的范围为0cd-255cd。

4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤3)中，去除所述短波反射光信号中强度大于255的短波反射光信号，去除所述长波反射光信号中强度小于等于0的长波反射光信号，并去除所述待检测晶圆同一区域反射的、且强度位于0cd～255cd范围之内的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号二者中的强度较小者。

5.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于：步骤4)包括如下步骤：

4-1)依据保留的所述短波反射光信号形成第一缺陷图形；

4-2)依据保留的所述长波反射光信号形成第二缺陷图形；

4-3)将所述第一缺陷图形与所述第二缺陷图形整合得到所述缺陷图形以进行缺陷检测。

6.一种缺陷检测系统，其特征在于，所述缺陷检测系统包括：

光源装置，位于待检测晶圆的上方，所述光源装置包括短波光源及长波光源，用于交替发射短波光及长波光，以对所述待检测晶圆各区域进行交替脉冲式扫描；

探测装置，位于所述待检测晶圆的上方一侧，用于接收所述待检测晶圆对所述短波光进行反射的短波反射光信号及所述待检测晶圆对所述长波光进行反射的长波反射光信号；

比对处理装置，与所述探测装置相连接，用于存储预设强度范围，将所述探测装置接收到所述短波反射光信号的强度及所述长波反射光信号的强度与所述预设强度进行比对，以去除位于预设强度范围之外的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号；并将所述待检测晶圆同一区域反射的、且位于所述预设强度范围之内的所述短波反射光信号的强度及所述长波反射光信号的强度进行比对，以去除所述待检测晶圆同一区域反射的、且位于所述预设强度范围之内的所述短波反射光信号及所述长波反射光信号二者中的强度较小者；

成像检测装置，与所述比对处理装置相连接，用于依据保留的所述短波反射光信号及保留的所述长波反射光信号形成缺陷图形以进行缺陷检测。

7.根据权利要求6所述的缺陷检测系统，其特征在于：所述短波光源发射的短波光的波长为255nm～380nm，所述长波光源发射的长波光的波长为380nm～550nm。

8.根据权利要求6所述的缺陷检测系统，其特征在于：所述探测装置包括：

第一探测器，位于所述待检测晶圆的上方一侧，用于接收所述待检测晶圆对所述短波光进行反射的短波反射光信号；

第二探测器，位于所述待检测晶圆的上方一侧，用于接收所述待检测晶圆对所述长波光进行反射的长波反射光信号。

9.根据权利要求8所述的缺陷检测系统，其特征在于：所述探测装置还包括：

第一反射镜，位于所述待检测晶圆的上方，且位于所述待检测晶圆对所述短波光进行反射的反射路径上，以将所述短波反射光信号反射至所述第一探测器上；

第二反射镜，位于所述待检测晶圆的上方，且位于所述待检测晶圆对所述长波光进行反射的反射路径上，以将所述长波反射光信号反射至所述第二探测器上。