[发明专利]基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法有效
| 申请号： | 201811350947.X | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109545682B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 钟振扬;张宁宁;陈培宗;樊永良;蒋最敏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 合金 制备 方法 | ||
1.一种基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法，其特征在于，以Si(001)单晶片为衬底，经过化学清洗后，放入分子束外延设备或其他生长设备生长硅锗合金层，然后通过图形模板转移和化学选择性刻蚀，从而得到高质量的硅锗合金微盘；具体步骤如下：
（1）在Si(001)衬底上用分子束外延或其他设备生长硅锗合金层，得到硅锗合金层/硅衬底，硅锗合金层中锗的体积分数为10%-100%，硅锗合金层的厚度为50nm-1000nm；
（2）制备微盘图形模板，所得微盘图形模板的直径为50nm-100μm，之后经过干法刻蚀，将微盘图形模板转移到步骤（1）所得硅锗合金层/硅衬底上，得到硅锗合金/硅微柱，最后去除微盘图形模板，得到处理后的硅锗合金/硅微柱；在制作微盘图形模板之前，在生长好的硅锗合金层/硅衬底上先蒸镀一层二氧化硅保护硅锗合金层表面，二氧化硅厚度为20nm-100nm；通过干法刻蚀转移微盘模板得到的硅锗合金/硅微柱直径为50nm-100μm，微柱中硅衬底部分的高度为25nm-50μm；
（3）经过KOH溶液选择性刻蚀，步骤（２）得到的处理后的硅锗合金/硅微柱下方的部分硅微柱衬底被KOH溶液刻蚀，而硅锗合金层被保留，最终制备出硅衬底上的硅锗合金微盘，在KOH溶液选择性刻蚀过程中，KOH溶液温度为25℃-80℃，KOH溶液的浓度为0.1mol/L-5mol/L，经过KOH溶液选择性刻蚀制备的硅锗合金微盘，其直径为50nm-100μm，厚度为50nm-1000nm，硅锗合金中锗的体积分数为10%-100%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
