[发明专利]电容耦合式电平移位器

权利要求书

1.一种半桥式GaN电路，其包括：

低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；

高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；

高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性；

反相或非反相逻辑门，其具有基于功率节点的电压的输入阈值，其中所述功率节点的电压具有根据所述输入信号而改变的电压，其中所述逻辑门的电源端连接到所述功率节点；以及

电压产生器，其经配置以在VMID节点处产生供电电压，其中所述供电电压是基于所述功率节点的电压，其中所述逻辑门的接地端连接到所述VMID节点，且其中所述逻辑门的输入阈值电压介于所述功率节点的电压与所述VMID节点处的所述供电电压之间。

2.根据权利要求1所述的半桥式GaN电路，其中所述输入信号参考第一电压且电容耦合式信号参考第二电压。

3.根据权利要求2所述的半桥式GaN电路，其中所述第一电压是接地电压且所述第二电压根据所述输入信号而改变。

4.根据权利要求1所述的半桥式GaN电路，其中所述逻辑门的所述输入阈值根据所述功率节点的电压的改变而改变。

5.根据权利要求1所述的半桥式GaN电路，其中所述电压产生器包括齐纳二极管，且其中所述VMID节点处的所述供电电压大体上比所述功率节点的电压小了所述齐纳二极管的击穿电压。

6.根据权利要求1所述的半桥式GaN电路，其中所述高侧电源开关控制器进一步包括锁存器，其中所述逻辑电路经配置以基于所述锁存器的电容耦合式信号而产生一或多个锁存器输入信号，其中所述锁存器经配置以接收所述锁存器输入信号并基所述锁存器输入信号于而产生一或多个锁存器输出信号，且其中所述锁存器输出信号控制所述高侧电源开关的导电性。

7.根据权利要求6所述的半桥式GaN电路，其中所述高侧电源开关控制器进一步包括电源开关驱动器，其中所述驱动器经配置以接收所述锁存器输出信号并基于所述锁存器输出信号而控制所述高侧电源开关的导电性。

8.一种电子组件，其包括：

封装基底；以及

至少一个基于GaN的裸片，其固定到所述封装基底并包含电子电路，所述电子电路包括：

低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；

高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；

高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性；

反相或非反相逻辑门，其具有基于功率节点的电压的输入阈值，其中所述功率节点的电压具有根据所述输入信号而改变的电压，其中所述逻辑门的电源端连接到所述功率节点；以及

电压产生器，其经配置以在VMID节点处产生供电电压，其中所述供电电压是基于所述功率节点的电压，其中所述逻辑门的接地端连接到所述VMID节点，且其中所述逻辑门的输入阈值电压介于所述功率节点的电压与所述VMID节点处的所述供电电压之间。

9.根据权利要求8所述的电子组件，其中所述输入信号参考第一电压且电容耦合式信号参考第二电压。

10.根据权利要求9所述的电子组件，其中所述第一电压是接地电压且所述第二电压根据所述输入信号而改变。

11.根据权利要求8所述的电子组件，其中所述逻辑门的所述输入阈值根据所述功率节点的电压的改变而改变。

12.根据权利要求8所述的电子组件，其中所述电压产生器包括齐纳二极管，且其中所述VMID节点处的所述供电电压大体上比所述功率节点的电压小了所述齐纳二极管的击穿电压。