[发明专利]三维存储器的制造方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；

形成绝缘材料层于所述栅线隔槽的表面，且仅仅位于所述栅线隔槽侧壁顶部的所述绝缘材料层厚度大于位于所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层厚度，而所述栅线隔槽侧壁其他部位的所述绝缘材料层厚度与所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层厚度相同；

沿所述栅线隔槽刻蚀所述绝缘材料层，以形成覆盖于所述侧壁表面的隔离层及贯穿位于所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层的第一开口；

在所述刻蚀的过程中，所述侧壁顶部的绝缘材料层刻蚀量大于所述底端的绝缘材料层刻蚀量，使得所述侧壁顶部的隔离层厚度与所述侧壁底部的隔离层厚度相同；或者，所述侧壁顶部的隔离层厚度大于所述侧壁底部的隔离层厚度；

填充导电材料于所述栅线隔槽及所述第一开口内，形成覆盖于所述隔离层之上的阵列共源极。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层；所述三维存储器的制造方法还包括如下步骤：

沿所述栅线隔槽刻蚀所述栅极层的端部，以在相邻两层层间绝缘层之间形成第二开口；

形成覆盖于所述栅线隔槽的表面并填充于所述第二开口的所述绝缘材料层。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述绝缘材料层包括第一绝缘材料层和第二绝缘材料层；形成绝缘材料层于所述栅线隔槽的表面的具体步骤包括：

沿所述栅线隔槽沉积第一绝缘材料，形成至少覆盖所述栅线隔槽的表面的所述第一绝缘材料层；

沉积第二绝缘材料于所述第一绝缘材料层表面，形成所述第二绝缘材料层。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料均为氧化物材料、多晶硅材料、氮化物材料中的一种或几种。

5.根据权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，覆盖于所述侧壁顶部的所述第一绝缘材料层厚度与覆盖于所述栅线隔槽底端的所述第一绝缘材料层厚度相同；

所述侧壁顶部的所述第二绝缘材料层厚度大于所述栅线隔槽底端的所述第二绝缘材料层厚度。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第二绝缘材料层的具体步骤包括：

控制所述第二绝缘材料在所述第一绝缘材料层顶部的沉积速率大于在所述第一绝缘材料层底端的沉积速率，形成所述第二绝缘材料层。

7.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，形成绝缘材料层于所述栅线隔槽的表面的具体步骤包括：

沿所述栅线隔槽沉积第一绝缘材料，形成至少覆盖所述栅线隔槽表面的所述绝缘材料层。

8.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述三维存储器为3DNAND存储器。

9.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；

隔离层，覆盖于所述栅线隔槽侧壁表面，所述侧壁顶部的隔离层厚度与所述侧壁底部的隔离层厚度相同；或者，所述侧壁顶部的隔离层厚度大于所述侧壁底部的隔离层厚度；

所述隔离层是对覆盖于所述栅线隔槽表面的绝缘材料层进行底端穿通时形成的，且仅仅位于所述栅线隔槽侧壁顶部的所述绝缘材料层厚度大于位于所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层厚度，而所述栅线隔槽侧壁其他部位的所述绝缘材料层厚度与所述栅线隔槽底端的所述绝缘材料层厚度相同；填充于所述栅线隔槽中的阵列共源极，所述阵列共源极覆盖于所述隔离层之上。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离层的厚度沿所述栅线隔槽的侧壁表面均匀分布。