[发明专利]一种抗大电流冲击的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811351507.6 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509821A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明叠层 电阻 透明导电层 电流冲击 横向扩散 电流横向 发光结构 衬底 大电流冲击 扩散 第二电极 第一电极 元件烧毁 两层 制作 芯片 | ||
1.一种抗大电流冲击的LED芯片，其特征在于，包括衬底、设置在衬底上的发光结构、设置在发光结构上的透明叠层、以及第一电极和第二电极；
所述透明叠层包括M层横向扩散层和M+1层透明导电层，M≧1，所述横向扩散层设置在两层透明导电层之间；
所述横向扩散层的电阻小于所述透明导电层的电阻。
2.如权利要求1所述的抗大电流冲击的LED芯片，其特征在于，所述横向扩散层的电阻比透明导电层的电阻小3-10％，所述横向扩散层的材料的电阻率小于所述透明导电层的材料的电阻率。
3.如权利要求2所述的抗大电流冲击的LED芯片，其特征在于，所述横向扩散层由铜、银、金和铝中的一种或几种制成，所述透明导电层由铟锡氧化物制成。
4.如权利要求3所述的抗大电流冲击的LED芯片，其特征在于，所述横向扩散层的厚度为0.5-20nm，所述透明导电层的厚度为40-360nm。
5.如权利要求1所述的抗大电流冲击的LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及刻蚀至第一半导体层的裸露区域，其中，第一层透明导电层设置在第二半导体层上，第二电极设置在第M+1层透明导电层上，第一电极设置在第一半导体层上。
6.一种抗大电流冲击的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成发光结构；
在发光结构上形成透明叠层，所述透明叠层包括M层横向扩散层和M+1层透明导电层，M≧1，所述横向扩散层设置在两层透明导电层之间，其中，所述横向扩散层的电阻小于所述透明导电层的电阻；
对透明叠层进行加热，完成合金，合金温度为400-650℃；
在第M+1层透明导电层上形成第二电极，在发光结构上形成第二电极。
7.如权利要求6所述的抗大电流冲击的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述横向扩散层的电阻比透明导电层的电阻小3-10％，所述横向扩散层的材料的电阻率小于所述透明导电层的材料的电阻率。
8.如权利要求7所述的抗大电流冲击的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述横向扩散层由铜、银、金和铝中的一种或几种制成，所述透明导电层由铟锡氧化物制成。
9.如权利要求8所述的抗大电流冲击的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述横向扩散层的厚度为0.5-20nm，所述透明导电层的厚度为40-360nm。
10.如权利要求6所述的抗大电流冲击的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及刻蚀至第一半导体层的裸露区域，其中，第一层透明导电层设置在第二半导体层上，第一电极设置在第一半导体层上。
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