[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。本发明的课题为，对在衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。本发明的半导体器件的制造方法具有下述工序：准备衬底的工序；和对衬底从第1供给部供给非活性气体，对衬底从第2供给部供给非活性气体，对衬底从第3供给部供给处理气体，从而在衬底上形成膜的工序，其中，第3供给部设置在隔着穿过第2供给部和衬底的中心的直线而与第1供给部相反的一侧，在形成膜的工序中，通过对从第1供给部供给的非活性气体的流量、与从第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行调节。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-118462号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种能够对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行控制的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，其具有：

准备衬底的工序；和

对上述衬底从第1供给部供给非活性气体，对上述衬底从第2供给部供给非活性气体，对上述衬底从第3供给部供给第1处理气体，从而在上述衬底上形成膜的工序，其中，上述第3供给部设置在隔着穿过上述第2供给部和上述衬底的中心的直线而与上述第1供给部相反的一侧，

在上述形成膜的工序中，通过对从上述第1供给部供给的非活性气体的流量、和从上述第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在上述衬底上形成的上述膜的衬底面内膜厚分布进行调节。

发明效果

根据本发明，能够对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行控制。

附图说明

图1：为本发明的实施方式中合适使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2：为本发明的实施方式中合适使用的衬底处理装置的立式处理炉的一部分的概略构成图，并且是以图1的A-A线剖面图表示处理炉的一部分的图。

图3：为本发明的实施方式中合适使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，并且是以框图表示控制器的控制系统的图。

图4：为示出本发明的一个实施方式的成膜顺序的图。

图5：(a)、(b)分别为示出立式处理炉的变形例的横剖面图，并且是将反应管、缓冲室及喷嘴等部分抽出而示出的图。

图6：(a)、(b)分别是对在衬底上形成的膜的衬底的外周部处的膜厚测定结果进行示出的图。

具体实施方式

本发明的一实施方式

以下，参照图1～图4，对本发明的一实施方式进行说明。

(1)衬底处理装置的构成

如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调节部)的加热器207。加热器207是圆筒形状，并通过由保持板支承而垂直安装。加热器207还作为通过热而使气体活化(激发)的活化机构(激发部)而发挥功能。