[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811352047.9 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109860351B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张志刚;刘春杨;董斌忠;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：
衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型欧姆接触层，所述高温P型GaN层包括至少一个复合层，所述复合层包括AlInN层和第一P型掺杂GaN层，靠近所述电子阻挡层的复合层中的AlInN层比所属复合层中的第一P型掺杂GaN层更加靠近所述电子阻挡层，所述AlInN层为Al1-xInxN层，0X0.5。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlInN层的厚度为0.5～5nm，所述第一P型掺杂GaN层的厚度为5～10nm。
3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述高温P型GaN层包括n个层叠的复合层，3≤n≤5。
4.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述高温P型GaN层还包括第二P型掺杂GaN层，所述第二P型掺杂GaN层位于所述电子阻挡层与所述至少一个复合层之间，所述第二P型掺杂GaN层的厚度为5～10nm。
5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述高温P型GaN层包括m个层叠的复合层，1≤m≤5。
6.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上顺次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型欧姆接触层，所述高温P型GaN层包括至少一个复合层，所述复合层包括AlInN层和第一P型掺杂GaN层，靠近所述电子阻挡层的复合层中的AlInN层比所属复合层中的第一P型掺杂GaN层更加靠近所述电子阻挡层，所述AlInN层为Al1-xInxN层，0X0.5。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述AlInN层的生长温度为800℃～950℃，所述AlInN层的生长压力为50torr～600torr，所述AlInN层的厚度为0.5～5nm，所述第一P型掺杂GaN层的生长温度为900℃～950℃，所述第一P型掺杂GaN层的生长压力为100torr～500torr，所述第一P型掺杂GaN层的厚度为5～10nm。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高温P型GaN层包括n个层叠的复合层，3≤n≤5。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高温P型GaN层还包括第二P型掺杂GaN层，所述第二P型掺杂GaN层位于所述电子阻挡层与所述至少一个复合层之间，所述第二P型掺杂GaN层的生长温度为900℃～950℃，所述第二P型掺杂GaN层的生长压力为100torr～500torr，所述第二P型掺杂GaN层的厚度为5～10nm。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述高温P型GaN层包括m个层叠的复合层，1≤m≤5。
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