[发明专利]选择性蚀刻的方法

权利要求书

1.一种用于制备水平环栅场效应晶体管的方法，所述方法包括：

在加工室中提供具有上表面(15)的基板(10)，其中，第一特征件(30)和第二特征件(20)通过交替且重复地彼此堆叠而设置在上表面(15)上，从而形成多层堆叠体(40、41、42)，并且其中，上表面(15)包含松弛的Si_1-xGe_x或松弛的Ge，其中x为至少50原子％，所述第一特征件(30)包含含Sn的第一IV族材料，所述第二特征件(20)包含第二IV族材料；其中，含Sn的第一IV族材料是Ge_1-ySn_y并且包含掺杂元素，其中，4原子％y20原子％，掺杂剂是n型掺杂剂或p型掺杂剂，并且其中，第二IV族材料是Ge；

-在加工室中对基板(10)进行加热，并且随后；

-进行蚀刻处理，所述蚀刻处理包括：

a.将蚀刻气体引入加工室中，

b.对基板(10)施加蚀刻气体，其中，蚀刻气体是基于氯或基于溴的气体，由此相对于第二特征件(20)选择性去除第一特征件(30)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，掺杂元素是n型的。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，蚀刻处理是气相蚀刻法，并且在载气的存在下，将基于氯或基于溴的蚀刻气体提供至加工室中。

4.如权利要求1所述的方法，其中，将基板(10)加热至低于500℃的温度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，基于氯的气体是Cl₂或HCl。

6.如权利要求1所述的方法，其中，基于溴的气体是Br₂或HBr。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在进行蚀刻处理后，在第二特征件(20)上提供保形覆盖层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，提供保形覆盖层在原位进行。

9.如权利要求7或8所述的方法，其中，所述覆盖层是Si覆盖层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，上表面(15)分别包含第一区域(I)中的松弛的Si_1-xGe_x以及第二区域(II)中的松弛的Ge，第一区域(I)位于距离第二区域(II)一段距离(g)的位置，并且其中，多层堆叠体(40、41、42)是在第一区域(I)上的第一多层堆叠体(41)，所述第一多层堆叠体与第二区域(II)上的第二多层堆叠体(42)分隔所述距离(g)，并且其中，水平环栅场效应晶体管是互补的水平环栅场效应晶体管。

11.如权利要求1所述的方法，其中，第一特征件(30)和第二特征件(20)是纳米线或纳米片。