[发明专利]一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上依次形成栅电极、栅绝缘层、半导体层以及金属层；

在所述金属层上涂覆一层光刻胶；通过曝光、显影步骤形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；

进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层；

进行湿蚀刻对部分曝光区域的所述金属层进行刻蚀，形成金属层凹坑，漏出半导体层；

进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的所述光刻胶刻蚀掉；

进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次灰化处理采用氧气或六氟化硫气体刻蚀。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括硅基薄膜层和沉积于所述硅基薄膜层上的欧姆接触层。

4.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域对应的残余的所述光刻胶刻蚀掉的步骤之后还包括如下步骤：

进行干蚀刻，将暴露在所述金属层凹坑中的所述欧姆接触层刻蚀掉，漏出所述硅基薄膜层，以此形成薄膜晶体管沟道区域图形。

5.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述金属层上设置光刻胶并形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域的步骤与所述进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层的步骤之间还包括如下步骤：

采用湿蚀刻工艺对所述完全曝光区域进行刻蚀，将所述完全曝光区域的金属层刻蚀掉；

对所述完全曝光区域的欧姆接触层采用干蚀刻工艺进行蚀刻以形成数据线、源电极及漏电极。

6.如权利要求5所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域对应的残余的所述光刻胶刻蚀掉的步骤中还包括如下步骤：

在所述完全曝光区域内沉积一层钝化层，通过干蚀刻在所述钝化层上制作出过孔；

在所述钝化层上沉积一层导电薄膜，通过干蚀刻使所述导电薄膜形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电性连接；

剥离剩余的光刻胶。

7.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅绝缘层及所述半导体层通过化学气相沉积法依次沉积于所述基板上，所述金属层通过物理气相沉积法沉积于所述半导体层上。

8.如权利要求7所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为氧化物、氮化物或者氧氮化物。

9.显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述阵列基板采用如权利要求1～8任一项所述的阵列基板制造方法制备而成。

10.显示装置，包括显示主机、以及用于支撑所述显示主机的底座，其特征在于，所述显示主机包括如权利要求9所述的显示面板。