[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201811352700.1 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109494194B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 李晓虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L51/56;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括至少一个折叠区和至少两个非折叠区,其特征在于,所述制备方法包括:
在衬底上形成TFT器件层;
在所述TFT器件层上形成分布于所述折叠区和非折叠区的多个隔垫物,所述隔垫物的材料为无机材料;
在所述TFT器件层上形成有机电致发光器件层;
将分布于所述折叠区的多个隔垫物中的至少部分隔垫物背离所述衬底的表面上的有机电致发光材料层完全去除以形成裸露表面;
在所述有机电致发光器件层以及所述隔垫物上形成薄膜封装层,所述薄膜封装层朝向所述隔垫物的表层为无机材料,其中,分布于所述折叠区的多个隔垫物中具有裸露表面的隔垫物与所述薄膜封装层直接接触并连接。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用蒸镀或打印的方法在所述TFT器件层上形成有机电致发光器件层。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述TFT器件层上形成有机电致发光器件层的过程中采用的掩膜板为Open mask。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用激光烧结方法对分布于所述折叠区的多个隔垫物中的至少部分隔垫物背离所述衬底的表面上的有机电致发光材料层进行完全去除。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述薄膜封装层包括依次设于所述有机电致发光器件层和所述隔垫物上第一无机阻隔层、有机平坦层和第二无机阻隔层;
其中,所述在所述有机电致发光器件层以及所述隔垫物上形成薄膜封装层具体包括:
采用气相沉积方法在所述有机电致发光器件层以及所述隔垫物上形成所述第一无机阻隔层;
在所述第一无机阻隔层上形成有机平坦层;
采用气相沉积方法在所述有机平坦层上形成第二无机阻隔层。
6.一种采用如权利要求1-5任一项所述的制备方法制备的显示面板,包括至少一个折叠区和至少两个非折叠区,其特征在于,包括:
衬底;
设于所述衬底上的TFT器件层;
设于所述TFT器件层上的有机电致发光器件层、分布于所述折叠区和非折叠区的多个隔垫物,所述隔垫物的材料为无机材料;
设于所述有机电致发光器件层以及所述隔垫物上的薄膜封装层,所述薄膜封装层朝向所述隔垫物的表层为无机材料;
其中,分布于所述折叠区的多个隔垫物中至少部分隔垫物背离所述衬底的表面与所述薄膜封装层直接接触并连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,分布于所述折叠区的每个所述隔垫物背离所述衬底的表面均与所述薄膜封装层直接接触并连接。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述折叠区的隔垫物分布密度大于所述非折叠区的隔垫物分布密度。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,分布于所述非折叠区的多个隔垫物中至少部分隔垫物背离所述衬底的表面与所述薄膜封装层直接接触并连接。
10.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层包括依次设于所述有机电致发光器件层和所述隔垫物上第一无机阻隔层、有机平坦层和第二无机阻隔层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造