[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的漂移区以及位于所述衬底上的栅极材料层；

在所述栅极材料层上形成第一图形层，以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层，在所述栅极材料层内形成第一开口，所述第一开口露出所述衬底表面；所述第一开口用于定义初始体区和源区的形成区域；

以所述第一图形层为掩膜，对所述第一开口露出的衬底进行离子掺杂处理，在所述漂移区内形成初始体区；所述初始体区的底部高于所述漂移区的底部；

形成初始体区后，去除所述第一图形层；

形成位于第一开口以及位于所述栅极材料层上的第二图形层，以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层，形成栅极层以及位于相邻所述栅极层之间的第二开口，所述第二开口露出所述衬底表面；所述第二开口用于定义漏区的形成区域；

形成栅极层和第二开口后，去除所述第二图形层；

进行退火处理，使所述初始体区内的掺杂离子扩散至所述初始体区相邻栅极层底部的部分漂移区内，形成体区；所述体区的底部高于所述漂移区的底部；

以所述第一开口定义源区的图形，且以所述第二开口定义漏区的图形，在第一开口底部的体区内形成源区，以及在第二开口底部的漂移区内形成漏区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形层的材料为光刻胶。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极材料层上形成第一图形层的工艺包括旋涂工艺。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一图形层的工艺为灰化工艺或湿法去胶工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂处理和漂移区内的掺杂离子类型不同，所述源区和漏区内的掺杂离子与所述漂移区内的掺杂离子类型相同。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂处理的掺杂离子为N型离子，所述漂移区内的掺杂离子为P型离子；或者，所述离子掺杂处理的掺杂离子为P型离子，所述漂移区内的掺杂离子为N型离子。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源区和漏区的工艺包括离子注入工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极材料层内形成第一开口的步骤包括：以所述第一图形层为掩膜，采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述栅极材料层，在所述栅极材料层内形成第一开口。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂处理采用的工艺为离子注入工艺。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理为炉管退火工艺或快速热退火工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二图形层的材料为光刻胶。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二图形层的工艺包括旋涂工艺。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二图形层的工艺为灰化工艺或湿法去胶工艺。