[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

第一晶圆，具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；

第二晶圆，具有朝向所述第一键合面设置的第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；

粘合层，位于所述第一键合面与所述第二键合面之间，并与所述第一键合面、第二键合面连接，利用所述第一导电层和/或所述第二导电层中导电粒子的扩散，在所述粘合层中形成用于电连接所述第一导电层与所述第二导电层的掺杂部。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一晶圆、所述第二晶圆中，其中之一为存储阵列晶圆、另一为外围电路晶圆。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一导电层包括多个第一导电塞，所述第二导电层包括与多个第一导电塞一一对应的多个第二导电塞；

所述粘合层中具有与多个第一导电塞一一对应的多个掺杂部。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一晶圆包括第一衬底以及覆盖于所述第一衬底表面的第一介质层，所述第一键合面为所述第一介质层背离所述第一衬底的表面；

所述第二晶圆包括第二衬底以及覆盖于所述第二衬底表面的第二介质层，所述第二键合面为所述第二介质层背离所述第二衬底的表面。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层的材料均为金属；

所述掺杂部中同时包括自所述第一导电层和所述第二导电层扩散而来的金属离子。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层的材料均为铜；

所述粘合层的材料为环氧树脂聚合物。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述粘合层的厚度为3μm～50μm。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3DNAND存储器。

9.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；

提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；

通过一粘合层连接所述第一键合面与所述第二键合面，并利用所述第一导电层和/或所述第二导电层中导电粒子的扩散，在所述粘合层中形成用于电连接所述第一导电层与所述第二导电层的掺杂部。

10.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，通过一粘合层连接所述第一键合面与所述第二键合面的具体步骤包括：

形成粘合层于所述第一键合面表面；

以所述第一键合面朝向所述第二键合面的方式将所述第一晶圆与所述第二晶圆连接，形成键合结构；

扩散所述第一导电层和/或所述第二导电层中的导电粒子至所述粘合层，形成所述掺杂部。

11.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆、所述第二晶圆中，其中之一为存储阵列晶圆、另一为外围电路晶圆。

12.根据权利要求10所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆包括第一衬底以及覆盖于所述第一衬底表面的第一介质层；形成粘合层于所述第一键合面表面的具体步骤包括：

涂布粘合材料于所述第一键合面，形成所述粘合层。

13.根据权利要求10所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述第一导电层包括多个第一导电塞，所述第二导电层包括与多个第一导电塞一一对应的多个第二导电塞；形成所述掺杂部的具体步骤包括：

扩散所述第一导电塞和/或所述第二导电塞中的导电粒子至所述粘合层，形成所述掺杂部。