[发明专利]基板处理装置的清洗装置和清洗方法在审
| 申请号： | 201811353428.9 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786290A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 山田浩平;稻富弘朗;枇杷聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B5/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 清洗装置 喷嘴 扫描机构 内壁面 清洗 处理基板 内部清洁 喷出 扫描 室内 | ||
1.一种基板处理装置的清洗装置，其特征在于，具备：
喷嘴，其朝向用于处理基板的处理室的内壁面喷出气体；以及
扫描机构，其使所述喷嘴在所述处理室内沿所述内壁面进行扫描。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的清洗装置，其特征在于，
还具备排气机构，所述排气机构将从所述喷嘴喷出到所述内壁面的所述气体向所述处理室的外部排出。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置的清洗装置，其特征在于，
所述扫描机构使所述喷嘴朝向所述排气机构进行扫描。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置的清洗装置，其特征在于，
所述扫描机构使所述喷嘴从用于向所述处理室搬入所述基板的搬入口起沿着向所述处理室内搬入所述基板的朝向进行扫描。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置的清洗装置，其特征在于，
形成于所述喷嘴的所述气体的喷出口形成为使所述气体向朝向所述内壁面的方向且所述喷嘴进行扫描的方向喷出。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置的清洗装置，其特征在于，
所述扫描机构使所述喷嘴沿所述内壁面的主面进行扫描。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置的清洗装置，其特征在于，
在所述处理室中实施如下的处理：使形成有液膜的所述基板与超临界状态的处理流体接触，来使所述基板干燥。
8.一种基板处理装置的清洗方法，其特征在于，
包括喷出气体扫描工序，在该喷出气体扫描工序中，使朝向用于处理基板的处理室的内壁面喷出气体的喷嘴在所述处理室内沿所述内壁面进行扫描。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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