[发明专利]一种Dual Port SSD的SI测试方法、装置有效
| 申请号： | 201811353645.8 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109448779B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 武丽伟 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dual port ssd si 测试 方法 装置 | ||
1.一种Dual Port SSD的SI测试方法，其特征在于，包括：
利用目标Riser卡将目标存储器中控制器上的第一clock和第二clock引出；其中，所述目标Riser卡中的第一clock和第二clock预先通过走线连接，以对所述第一clock和所述第二clock进行合路处理；
利用所述目标Riser卡将X4治具与所述控制器上的第一clock和第二clock建立通信连接，以利用所述X4治具对目标Dual Port SSD进行SI测试。
2.根据权利要求1所述的SI测试方法，其特征在于，所述利用所述X4治具对目标DualPort SSD进行SI测试的过程之后，还包括：
记录所述SI测试的结果，以判断所述目标Dual Port SSD中Dual Port的信号传输质量。
3.根据权利要求1所述的SI测试方法，其特征在于，所述走线的长度为150±10mil。
4.根据权利要求1至3任一项所述的SI测试方法，其特征在于，还包括：
当利用所述控制器上的第一clock对所述目标Dual Port SSD进行SI测试时，则开启所述目标Riser卡中的第一clock上的第一耦合电容，关闭所述目标Riser卡中的第二clock上的第二耦合电容；其中，所述第一耦合电容为预先添加到所述目标Riser卡中的第一clock上的电容；所述第二耦合电容为预先添加到所述目标Riser卡中的第二clock上的电容。
5.根据权利要求4所述的SI测试方法，其特征在于，所述耦合电容为村田电容。
6.根据权利要求4所述的SI测试方法，其特征在于，所述耦合电容为20uF。
7.一种Dual Port SSD的SI测试装置，其特征在于，包括：
信号引出模块，用于利用目标Riser卡将目标存储器中控制器上的第一clock和第二clock引出；其中，所述目标Riser卡中的第一clock和第二clock预先通过走线连接，以对所述第一clock和所述第二clock进行合路处理；
SI测试模块，用于利用所述目标Riser卡将X4治具与所述控制器上的第一clock和第二clock建立通信连接，以利用所述X4治具对目标Dual Port SSD进行SI测试。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的Dual Port SSD的SI测试方法的步骤。
9.一种Dual Port SSD的SI测试设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6任一项所述的Dual PortSSD的SI测试方法的步骤。
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