[发明专利]用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置

权利要求书

1.一种用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，包括：

含硅聚合物和溶剂，

其中二氧化硅转化率大于0且小于或等于15，

限制条件为，所述二氧化硅转化率由关系等式1计算：

[关系等式1]

二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将所述用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si-O/Si-H的面积比)-(通过以6700埃的厚度将所述用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si-O/Si-H的面积比)，

其中Si-O的面积与Si-H的面积是指当傅里叶变换红外光谱在所述条件下测量时，在所述傅里叶变换红外光谱中的一定波长下的所述Si-O的面积与所述Si-H的面积。

2.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，所述二氧化硅转化率大于或等于1且小于或等于15。

3.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，所述二氧化硅转化率大于或等于5且小于或等于15。

4.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，所述二氧化硅转化率大于或等于6且小于或等于15。

5.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，所述二氧化硅转化率大于或等于6且小于或等于13。

6.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，所述二氧化硅转化率大于或等于6且小于或等于12。

7.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，所述含硅聚合物是聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。

8.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，所述含硅聚合物以按所述用于形成二氧化硅层的组合物的总量计的0.1重量％到30重量％的量包含在内。

9.一种二氧化硅层，其特征在于，包括通过使根据权利要求1到8中的一项所述的用于形成二氧化硅层的组合物固化而获得的二氧化硅组分。

10.根据权利要求9所述的二氧化硅层，其特征在于，所述二氧化硅层的收缩率介于13％到15.5％的范围内，

限制条件为，所述收缩率由关系等式2计算：

[关系等式2]

层收缩率＝(执行湿式固化之前的层厚度-执行湿式固化之后的层厚度)/(执行湿式固化之前的层厚度)×100％

其中在所述层收缩率中，所述湿式固化通过在600℃下热处理30分钟来执行。

11.一种电子装置，其特征在于，包括根据权利要求9所述的二氧化硅层。