[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板，薄膜晶体管包括依次层叠设在衬底上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源/漏极层，所述栅极层包括层叠设置在所述衬底上的金属缓冲层和栅极主体层，且所述金属缓冲层被设置成在高温下可防止所述金属缓冲层中的金属扩散到所述栅极主体层中。通过将金属缓冲层设置成在高温下可防止金属缓冲层中的金属扩散到栅极主体层中，在制作金属氧化物阵列基板的高温处理工艺中，可防止金属向栅极主体层中的扩散，使金属缓冲层中的金属无法扩散到栅极主体层中，从而抑制了栅极配线电阻的上升，使得到的栅极的配线电阻降低，提升了薄膜晶体管的稳定性。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor)即薄膜场效应晶体管，TFT-LCD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display)，即薄膜场效应晶体管液晶显示器，此类显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动，因而具有高反应速度、高亮度、高对比度、体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主要结构包括TFT阵列基板、彩膜基板以及充满在这两个基板之间的液晶层。

目前，TFT液晶显示器技术中，一般采用底栅结构的阵列基板，如IGZO金属氧化物阵列基板具体包括：基板和薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极，覆盖在栅电极上并延伸至基板上的栅电极绝缘层，位于栅电极绝缘层上的IGZO有源层，以及位于IGZO有缘层上的源电极和漏电极，其中，传统的栅电极的配线材料多采用Al、W等金属，随着显示装置的大型化和高清化，现有液晶显示技术中也陆续开始采用Cu作为配线材料，而且为了保证和下层的连接性和粘附性，一般都会采用其他的金属作为缓冲层，如现有的栅极多采用Cu/Ti的积层结构。

然而，在现有的阵列基板的形成过程中，需采用300℃以上的高温处理，在这些热处理的过程中，会使Cu/Ti积层结构积累一定的热量，易使Ti层和Cu层间形成Cu-Ti合金，从而会导致配线电阻上升。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板，以解决现有的TFT液晶显示技术中，薄膜晶体管的栅电极多采用Cu/Ti积层结构，在高温工艺中，易使Ti层和Cu层间形成Cu-Ti合金，从而导致配线电阻上升的问题。

本发明提供一种薄膜晶体管，包括依次层叠设在衬底上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源/漏极层；

所述栅极层包括层叠设置在所述衬底上的金属缓冲层和栅极主体层，且所述金属缓冲层被设置成在高温下可防止所述金属缓冲层中的金属扩散到所述栅极主体层中。

本发明的具体实施方式中，所述金属缓冲层为单层结构，且所述单层结构为Mo层或Mo合金层。

本发明的具体实施方式中，所述Mo合金层为MoNb合金层。

本发明的具体实施方式中，所述金属缓冲层为双层结构，且所述双层结构包括金属层和阻挡层，其中，所述金属层设在所述衬底上，所述阻挡层位于所述金属层和所述栅极主体层之间。

本发明的具体实施方式中，所述阻挡层为Cu合金层。

本发明的具体实施方式中，所述阻挡层为氧化层。

本发明的具体实施方式中，所述金属层为Ti层。

本发明的具体实施方式中，所述栅极主体层为Cu层。

本发明的另一方面提供一种阵列基板，包括上述任一所述的薄膜晶体管。

本发明的又一方面还提供一种显示面板，包括上述所述的阵列基板。