[发明专利]一种管式PECVD石墨舟结构有效
申请号: | 201811354016.7 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109524336B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 肖洁;吴德轶;成秋云;张春成 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 石墨 结构 | ||
1.一种管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:包括陶瓷基座(200)、两个舟片锁紧盘组件(300)、两个陶瓷固定环(400)、石墨棒(500)和多个舟片(100),所述舟片锁紧盘组件(300)包括陶瓷绝缘盘(310)和石墨导电盘(320),所述石墨导电盘(320)上沿周向设有多个卡槽(321)和多个第一导电槽(322),所述卡槽(321)与第一导电槽(322)均匀交错布置,所述陶瓷绝缘盘(310)上设有多个卡齿(311),所述卡齿(311)与卡槽(321)的数量相等,且卡齿(311)可与卡槽(321)配合,所述卡齿(311)上设有第二导电槽(312),两个舟片锁紧盘组件(300)固定在陶瓷基座(200)的前后两端,且前端的第一导电槽(322)与后端的第二导电槽(312)位于同一直线上,所述石墨棒(500)穿设于陶瓷基座(200)内,且石墨棒(500)前端与前端的石墨导电盘(320)之间绝缘连接,石墨棒(500)后端与后端的石墨导电盘(320)之间为导电连接,所述石墨棒(500)的前端具有第一电极孔(501),所述石墨导电盘(320)上设有第二电极孔(301),所述陶瓷固定环(400)具有开口,两个陶瓷固定环(400)的通过各自的开口分别固定在陶瓷基座(200)两端,且陶瓷固定环(400)的直径大于石墨导电盘(320)的直径,所述陶瓷基座(200)上设有安装柱面(210),所述安装柱面(210)上设有多个周向均匀布置的舟片安装槽(211),所述陶瓷固定环(400)上设有多个固定槽(401),所述舟片(100)可沿轴向插入舟片安装槽(211)内,所述舟片(100)前端同时卡在前端的第一导电槽(322)和陶瓷固定环(400)的固定槽(401)内,所述舟片(100)的后端同时卡在后端的第二导电槽(312)和陶瓷固定环(400)的固定槽(401)内。
2.根据权利要求1所述的管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:沿着陶瓷基座(200)的轴向设有多个陶瓷连接环(600),所述陶瓷连接环(600)具有开口,所述陶瓷连接环(600)依次穿过各舟片(100),并通过开口的两端固定在陶瓷基座(200)上,所述陶瓷连接环(600)的直径大于石墨导电盘(320)的直径。
3.根据权利要求1所述的管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:所述舟片(100)的每一面设有多组用于卡住硅片的卡点(101),各组卡点(101)沿轴向均匀布置,每组卡点(101)包括三个卡点(101),一个卡点(101)位于一端,另外两个卡点(101)位于另一端,且三个卡点(101)之间形成等腰三角形结构,在舟片(100)安装在陶瓷基座(200)上之后,具有一个卡点(101)的一端位于外侧。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:所述舟片安装槽(211)为T形槽,且T形槽的竖槽(2111)朝外,所述舟片(100)上设有可与T形槽的横槽(2112)配合的凸条(102)。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:所述石墨导电盘(320)具有台阶孔(323),所述石墨棒(500)的前端穿设在台阶孔(323)内,且二者之间设有绝缘凸环(220),所述绝缘凸环(220)固定在这一端的陶瓷基座(200)上。
6.根据权利要求5所述的管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:所述石墨棒(500)的后端与这一端的石墨导电盘(320)的台阶孔(323)的台阶相抵接。
7.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:所述陶瓷基座(200)为倒V字形结构。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD石墨舟结构,其特征在于:所述陶瓷固定环(400)的圆心角大于180°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造