[发明专利]一种导电薄膜的制备方法在审
申请号: | 201811354113.6 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109535469A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长沙浩然医疗科技有限公司 |
主分类号: | C08J7/12 | 分类号: | C08J7/12;C08J7/04;C08L79/08 |
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地址: | 410205 湖南省长沙市长沙高新开发区枫*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 导电薄膜 双氧水 聚酰亚胺薄膜 三嵌段共聚物 氨水 泊洛沙姆 基底表面 纳米粉末 溶胶体系 润湿表面 三乙醇胺 涂布溶胶 减压 异丙醇 质量比 乙醇 基底 控时 温控 微波 | ||
本发明公开了一种导电薄膜的制备方法,该制备方法包括以下步骤:选用Tm不低于280℃的Upilex R型聚酰亚胺薄膜为基底,分别用乙醇、氨水/双氧水润湿表面并氮吹吹干,在基底表面上涂布溶胶体系,分别于室温、微波、减压下控温控压控时;ITO导电层的厚度为80~100nm,溶胶体系包括质量比为1:0.05~0.08:0.02~0.03:0.005~0.0075:0.8~1.0:4~5的市售ITO纳米粉末、三乙醇胺、P123型PEO‑PPO‑PEO三嵌段共聚物、F68型泊洛沙姆、异丙醇和水;具有提高柔性的优点。
技术领域
本发明涉及一种导电薄膜的制备方法。
背景技术
氧化物具有超低电导率,必须利用掺杂、制造氧空位和间隙原子等工艺,在透明导电薄膜中引入缺陷,这样禁带中的能级就会引入缺陷,从而提高薄膜的导电性能。其中,以氧化铟锡(ITO)为代表的透明导电材料己统治市场60余年,科学家团队制备出ITO要追溯至19世纪70年代,其导电原理在于,在半导体In2O3中掺杂SnO2,产生一个导电的电子,从而在In2O3晶格中引入氧缺陷,氧空位可产生2个导电电子,从而使得ITO获得优异导电性的同时又具备透光的特性。
目前,市场上的能够买到的透明导电薄膜材料绝大多数都是ITO。据统计,2013年全球的透明电极市场总额达16亿美元,ITO以93%的市场份额独占鳌头。ITO之所以能够占据透明电极材料的统治地位,归因于其对可见光透过率高达90%以上、雾度低至0.5%,与此同时又可保持较低方阻(<80欧姆)和方阻不均一性(<10%)。随着新一代柔性器件的发展,要求透明电极可以任意的曲率半径弯折、扭曲,而ITO透明电极在弯折和扭曲的过程中容易失效,限制了其在柔性器件领域的应用。
发明内容
本发明的目的是提供一种导电薄膜的制备方法,具有提高柔性的优点。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)选用玻璃化转变温度不低于280℃的Upilex R型聚酰亚胺薄膜作为基底,在基底的表面用乙醇润湿15~20min,纯氮吹干备用,用氨水/双氧水润湿表面5~10min,纯氮吹干备用;
(2)对基底上处理过的表面进行溶胶体系涂布,在基底上得到ITO导电层;所述溶胶体系包括市售ITO纳米粉末、三乙醇胺、P123型PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物、F68型泊洛沙姆、异丙醇和水,溶胶体系中市售ITO纳米粉末、三乙醇胺、P123型PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物、F68型泊洛沙姆、异丙醇和水的质量比为1:0.05~0.08:0.02~0.03:0.005~0.0075:0.8~1.0:4~5;
(2)将步骤(2)得到的产品,于20~30℃下放置18~22min,转入58~61℃的微波干燥58~62min,再转入160~170℃的减压干燥12~16min,即得;微波干燥在一个标准大气压下;减压干燥的真空度值为-0.08~-0.10;所述ITO导电层的厚度为80~100nm。
采用上述技术方案,利用乙醇和氨水/双氧水对Upilex R型聚酰亚胺薄膜的表面进行处理,提高其表面的光滑度和亲水性,有利于其表面与其他分子的连接,在其上涂布溶胶体系,利用P123型PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物和ITO纳米粉末之间的范德华引力以及P123型PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物在聚酰亚胺薄膜表面的自组装行为,来将市售ITO纳米粉末沉积在聚酰亚胺薄膜表面,沉积后再干燥得到聚酰亚胺薄膜和ITO纳米粉末结合力强的导电薄膜,利用聚酰亚胺薄膜的柔性来改善导电膜的柔性。
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