[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

跨半导体区域上方形成第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；

形成层间电介质ILD以将所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠嵌入其中；

分别用第一替换栅极堆叠和第二替换栅极堆叠替换所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠；

执行第一刻蚀工艺以形成第一开口，其中，移除所述第一替换栅极堆叠的一部分和所述第二替换栅极堆叠的一部分；

填充所述第一开口以形成电介质隔离区域；

执行第二刻蚀工艺以形成第二开口，其中，所述ILD被刻蚀，并且所述电介质隔离区域暴露于所述第二开口，并且其中，在所述第二刻蚀工艺之后，所述电介质隔离区域中的空隙被连接到所述第二开口以形成连续开口；

在所述第二开口中形成接触间隔件，其中，所述接触间隔件将所述空隙与所述第二开口断开；以及

在所述第二开口中填充接触插塞，其中，所述接触插塞位于所述接触间隔件的相对部分之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一刻蚀工艺还包括刻蚀所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠之间的所述ILD的一部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一刻蚀工艺还包括刻蚀在所述第一虚设栅极堆叠的所述部分和所述第二虚设栅极堆叠的所述部分下方的隔离区域的部分，其中，所述隔离区域延伸到所述半导体区域下方的半导体衬底中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一刻蚀工艺还包括刻蚀所述半导体衬底的一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述接触插塞包括：

沉积金属层，所述金属层包括延伸到所述第二开口中的一部分，其中，所述金属层的该部分被所述接触间隔件包围；

使得所述金属层与下方的源极/漏极区域反应以形成硅化物区域；并且

将金属区域填充到所述第二开口中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二刻蚀工艺中，所述电介质隔离区域被刻蚀。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第二刻蚀工艺中，以比刻蚀所述ILD更低的刻蚀率来刻蚀所述电介质隔离区域。

8.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成刻蚀掩模，其中，第一金属栅极的一部分、在所述第一金属栅极的相对侧上的栅极间隔件、以及在所述栅极间隔件的一侧上的层间电介质ILD通过所述刻蚀掩模被露出；

执行第一刻蚀工艺以在所述ILD中形成第一开口，其中，所述第一金属栅极、所述栅极间隔件和所述ILD的暴露部分被移除；

用电介质隔离区域填充所述第一开口；

执行第二刻蚀工艺以在所述ILD中形成第二开口，其中，所述第一金属栅极的一侧上的源极/漏极区域通过所述第二开口被露出，并且其中，在所述第二刻蚀中，刻蚀所述电介质隔离区域的一部分以将所述电介质隔离区域中的空隙与所述第二开口相连接；

沉积电介质层，其中，所述电介质层延伸到所述第二开口中；以及

移除所述第二开口的底部处的所述电介质层的底部部分，其中所述第二开口的侧壁上的所述电介质层的剩余部分形成接触间隔件，并且所述接触间隔件具有与所述电介质隔离区域的侧壁接触的侧壁，并且其中，所述接触间隔件将所述第二开口与所述空隙分离。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述第一刻蚀工艺中，进一步刻蚀与所述第一金属栅极相邻的第二金属栅极，并且所述第一开口从所述第一金属栅极连续延伸到所述第二金属栅极。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述第二刻蚀工艺中，刻蚀所述第一金属栅极和所述ILD下方的隔离区域，并且所述第二开口延伸到所述隔离区域下方的块半导体衬底中。