[发明专利]用于封装件形成的工艺控制

说明书

一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯接合到第三器件管芯，形成在第一器件管芯和第二器件管芯之间延伸的多个间隙填充层，以及实施第一蚀刻工艺以蚀刻多个间隙填充层中的第一介电层以形成开口。多个间隙填充层中的第一蚀刻停止层用于停止第一蚀刻工艺。然后开口延伸穿过第一蚀刻停止层。实施第二蚀刻工艺以使开口延伸穿过第一蚀刻停止层下面的第二介电层。第二蚀刻工艺在多个间隙填充层中的第二蚀刻停止层上停止。该方法还包括使开口延伸穿过第二蚀刻停止层，以及用导电材料填充开口以形成通孔。本发明的实施例还涉及用于封装件形成的工艺控制。

技术领域

本发明的实施例涉及用于封装件形成的工艺控制。

背景技术

集成电路的封装正变得越来越复杂，更多的器件管芯包封在同一封装件中以实现更多功能。例如，已经开发了封装件结构，以在同一封装件中包括多个器件管芯(例如处理器和存储器立方体)。封装件结构可以将使用不同技术形成并且具有不同功能的器件管芯接合到同一器件管芯，从而形成系统。这可以节省制造成本并且优化器件性能。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：将第一器件管芯和第二器件管芯接合到第三器件管芯；形成在所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间延伸的多个间隙填充层；实施第一蚀刻工艺以蚀刻所述多个间隙填充层中的第一介电层以形成开口，其中，所述多个间隙填充层中的第一蚀刻停止层和下面的所述第一介电层用于停止所述第一蚀刻工艺；使所述开口延伸穿过所述第一蚀刻停止层；实施第二蚀刻工艺以使所述开口延伸穿过所述多个间隙填充层中的第二介电层和下面的所述第一蚀刻停止层，其中，所述第二蚀刻工艺在所述多个间隙填充层中的第二蚀刻停止层上停止；使所述开口延伸穿过所述第二蚀刻停止层；以及用导电材料填充所述开口以形成通孔。

本发明的另一实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：将多个器件管芯接合到器件晶圆；在所述多个器件管芯之间形成隔离区，其中，形成所述隔离区包括：形成第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层具有与所述多个器件管芯接触的侧壁部分和与所述器件晶圆的顶面接触的底部；在所述第一蚀刻停止层上形成第一介电层；在所述第一介电层上形成第二蚀刻停止层；以及在所述第二蚀刻停止层上形成第二介电层；蚀刻所述隔离区以形成穿过所述隔离区的第一开口，其中，所述器件晶圆的接合焊盘暴露于所述第一开口，并且在蚀刻所述隔离区期间，所述第二蚀刻停止层用于停止蚀刻；以及用导电材料填充所述第一开口以形成第一通孔和第二通孔。

本发明的又一实施例提供了一种封装件，包括：第一器件管芯；第二器件管芯和第三器件管芯，接合到所述第一器件管芯；隔离区，位于所述第二器件管芯和所述第三器件管芯之间，其中，所述隔离区包括：第一蚀刻停止层，具有与所述第一器件管芯和所述第二器件管芯接触的侧壁部分，以及与所述第一器件管芯的顶面接触的底部；第一介电层，位于所述第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层，位于所述第一介电层上；以及第二介电层，位于所述第二蚀刻停止层上；以及通孔，穿过所述隔离区以电连接到所述第一器件管芯。

附图说明

当接合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图13是根据一些实施例的封装件的制造中的中间阶段的截面图。

图14示出了根据一些实施例的封装件的截面图。

图15和图16示出了根据一些实施例的嵌入附加封装件结构的封装件的截面图。

图17示出了根据一些实施例的用于形成封装件结构的工艺流程。

具体实施方式