[发明专利]一种微机电器件制备方法及装置

说明书

本发明公开一种微机电器件制备方法及装置，包括：在第一晶圆衬底背面制备对准标记；以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备导电通道；翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件；翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路。本发明提供的方案改善了现有技术中进行晶圆两面的加工，存在较大的对准误差，降低了成品率，也给器件的质量和可靠性带来隐患的技术问题。能有效的提高对准精度，提高成品率和器件质量。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种微机电器件制备方法及装置。

背景技术

随着半导体器件的复杂化，半导体工艺也日趋复杂，为了控制器件的尺寸，部分工艺往往需要在晶圆的背面和正面均进行加工。例如，包含可动元件的传感器结构。

采用现有的工艺进行晶圆两面的加工，往往存在较大的对准误差，降低了成品率，也给器件的质量和可靠性带来隐患。

发明内容

本发明通过提供一种微机电器件制备方法及装置，改善了现有技术中进行晶圆两面的加工，存在较大的对准误差，降低了成品率，也给器件的质量和可靠性带来隐患的技术问题。

一方面，本发明提供了一种微机电器件制备方法，包括：

在第一晶圆衬底背面制备对准标记；

以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备导电通道；

翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件；

翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路。

可选的，所述在第一晶圆衬底背面制备对准标记之后，还包括：在保留所述对准标记的基础上，对所述第一晶圆衬底背面进行研磨抛光。

可选的，所述在第一晶圆衬底背面制备对准标记，包括：在第一晶圆衬底背面制备深度为600纳米～1200纳米的对准标记；所述对所述第一晶圆衬底背面进行研磨抛光，包括：对所述第一晶圆衬底背面进行研磨抛光，研磨抛光后所述对准标记的深度为300纳米～1100纳米。

可选的，所述翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件，包括：翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面的顶硅层和埋氧化层内制备所述电极窗口，所述电极窗口与所述导电通道对准；将第二晶圆衬底置于所述第一晶圆衬底正面，并键合所述第一晶圆衬底和第二晶圆衬底；以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，光刻所述第二晶圆衬底，制备所述可偏转元件。

可选的，所述将第二晶圆衬底置于所述第一晶圆衬底正面，包括：将第二晶圆衬底背面进行减薄，倒置所述第二晶圆衬底，以所述第二晶圆衬底正面接触所述第一晶圆衬底正面来将所述第二晶圆衬底置于所述第一晶圆衬底正面，其中，所述第二晶圆衬底正面设置有顶硅层和/或埋氧化层。

可选的，所述电极窗口的开口尺寸小于所述导电通道的横截面尺寸。

可选的，所述在所述第一晶圆衬底背面制备与所述硅通孔导电通道电连接的致电极控制电路之前，还包括：将第三晶圆置于所述可偏转元件上，并键合所述第三晶圆与所述第二晶圆衬底。

可选的，所述在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路之后，还包括：解除所述第三晶圆与所述第二晶圆衬底的键合。