[发明专利]一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201811357021.3 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109346515B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;谯彬;高吴昊;张柯楠;夏云;刘超 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阴极金属(1)、N+衬底层(11)、N+衬底缺陷抑制缓冲层(12)、P+场截止层(3)和P-漂移区(4)；所述P-漂移区(4)上层具有N阱区(5)，N阱区(5)上层具有并列设置的P+源区(6)和N+欧姆接触区(7)，其中N+欧姆接触区(7)位于外侧；在N+欧姆接触区(7)上表面和部分P+源区(6)上表面具有金属层(9)，在P+源区(6)剩余部分的表面具有氧化层(10)，且氧化层(10)沿器件表面向远离N+欧姆接触区(7)一侧延伸，依次覆盖N阱区(5)和P-漂移区(4)的表面，在位于覆盖部分P+源区(6)、N阱区(5)和P-漂移区(4)表面的氧化层(10)上层，具有栅极金属(14)；
其特征在于，所述P+场截止层(3)与N+衬底缺陷抑制缓冲层(12)之间还具有N-注入增强缓冲层(13)，所述N-注入增强缓冲层(13)的掺杂浓度低于P+场截止层(3)的掺杂浓度，用于增加少数载流子扩散长度，进而增大阴极注入效率。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N-注入增强缓冲层(13)的厚度范围为2～20μm，掺杂浓度范围为1e16～1e18cm-3。
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