[发明专利]一种用于机电设备生产的表面热处理装置在审

专利信息
申请号: 201811357181.8 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN109182682A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 朱游兵;钟瑜 申请(专利权)人: 重庆电子工程职业学院
主分类号: C21D1/42 分类号: C21D1/42;C21D9/00
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 隔层 耐火内胆 铰接座 伸缩杆 表面热处理 机电设备 内部设置 热处理箱 固定架 支撑座 冷却 热处理 感应线圈 加工工序 加热处理 加热装置 密封隔离 气体腐蚀 一端设置 支撑密封 装置结构 加工室 紧凑 生产 安全
【说明书】:

发明公开了一种用于机电设备生产的表面热处理装置,包括热处理箱、耐火内胆、中部耐隔层和铰接座,所述热处理箱内部设置有所述耐火内胆,所述耐火内胆内部设置有所述中部耐隔层,所述中部耐隔层底部设置有所述铰接座,所述铰接座上设置有第一伸缩杆,所述中部耐隔层一侧设置有支撑密封块,所述热处理箱内底部设置有第二伸缩杆,所述第二伸缩杆一端设置有支撑座,所述支撑座上设置有固定架,所述固定架上部设置有感应线圈。有益效果在于:1、该装置结构简单、温度、紧凑,将加热处理和冷却组合到一个装置内,减少加工工序;2、装置内部能够密封隔离出两个加工室,防止冷却产生的气体腐蚀加热装置,使装置更加安全、耐用。

技术领域

本发明涉及热处理技术领域,特别是涉及一种用于机电设备生产的表面热处理装置。

背景技术

金属热处理是将金属工件放在一定的介质中加热到适宜的温度,并在此温度中保持一定时间后,又以不同速度在不同的介质中冷却,通过改变金属材料表面或内部的显微组织结构来控制其性能的一种工艺,金属热处理工艺大体可分为整体热处理、表面热处理和化学热处理三大类。根据加热介质、加热温度和冷却方法的不同,每一大类又可区分为若干不同的热处理工艺。同一种金属采用不同的热处理工艺,可获得不同的组织,从而具有不同的性能。钢铁是工业上应用最广的金属,而且钢铁显微组织也最为复杂,因此钢铁热处理工艺种类繁多。

目前的热处理装置容易加热后在空气氧化,造成处理工件报废,目前急需一种装置来解决这一问题。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于机电设备生产的表面热处理装置。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的:

一种用于机电设备生产的表面热处理装置,包括热处理箱、耐火内胆、中部耐隔层和铰接座,所述热处理箱内部设置有所述耐火内胆,所述耐火内胆内部设置有所述中部耐隔层,所述中部耐隔层底部设置有所述铰接座,所述铰接座上设置有第一伸缩杆,所述中部耐隔层一侧设置有支撑密封块,所述热处理箱内底部设置有第二伸缩杆,所述第二伸缩杆一端设置有支撑座,所述支撑座上设置有固定架,所述固定架上部设置有感应线圈,所述第二伸缩杆一侧设置有液压缸,所述感应线圈上设置有高频交流发生装置,所述热处理箱一侧设置有冷却液进管,所述热处理箱另一侧设置有冷却液出管,所述冷却液出管上部设置有第一温度感应器,所述高频交流发生装置一侧设置有主控制器,所述主控制器与所述第一温度感应器、所述高频交流发生装置、所述第二伸缩杆、所述第一伸缩杆通过导线连接,所述第一温度感应器的型号为XMTG-6831。所述高频交流发生装置包括发生壳体、检修箱门、隔板和高频交流发生器,所述发生壳体侧部设置有所述检修箱门,所述发生壳体内部设置有所述隔板,所述隔板上部设置有所述高频交流发生器,所述高频交流发生器外侧设置有外部连接座,所述外部连接座上设置有加热空心铜管,所述加热空心铜管下侧设置有滑轨,所述滑轨上设置有滑座,所述滑座上设置有支撑槽,所述支撑槽下设置有调节钉,所述隔板下部设置有绝缘冷却油箱,所述绝缘冷却油箱内设置有冷却油泵,所述冷却油泵一侧设置有第二温度感应器,所述第二温度感应器一侧设置有制冷装置,所述绝缘冷却油箱一侧设置有绝缘油管,所述发生壳体外侧设置有操作面板,所述操作面板一侧设置有微型控制器,所述发生壳体,滑轨与所述操作面板、所述制冷装置、所述第二温度感应器、所述冷却油泵、所述高频交流发生器通过导线连接,所述微型控制器的型号为SPC-STW-26A1,所述第二温度感应器的型号为PT100。所述主控制器包括型号为SPC-STW-26A1的芯片IC,所述芯片IC的第一引脚连接二极管D7的负极,二极管D7的正极分别连接三极管D8的集电极、电容C5的一端、电阻R9的一端、芯片IC的第二引脚、二极管D5的负极、电容C2的一端和二极管D2的负极,所述二极管D2的正极连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端分别连接信号输入端V1、电容C1的一端和三极管D1的集电极,三极管D1的发射极分别连接电阻R1的一端、信号输出端V2和电阻R3的一端,所述电阻R1的另一端连接电容C1的另一端,三极管D1的基极分别连接二极管D3的正极和电阻R4的一端,电阻R4的另一端分别连接电容C2的另一端和三极管D4的集电极,三极管D4的发射极分别连接二极管D3的负极、电阻R3的另一端、三极管D6的集电极、电阻R7的一端、电容C3的一端、电阻R8的一端、电阻R12的一端、二极管D9的正极和电容C5的另一端,所述三极管D4的基极分别连接三极管D6的发射极、电阻R5的一端和电阻R6的一端,电阻R5的另一端连接二极管D5的正极,电阻R6的另一端连接芯片IC的第八引脚,三极管D6的基极分别连接电阻R7的另一端和芯片IC的第七引脚,所述电容C3的另一端连接芯片IC的第六引脚,电阻R8的另一端连接芯片IC的第五引脚,电阻R12的另一端分别连接电容C4的一端和电阻R11的一端,电容C4的另一端连接芯片IC的第四引脚,电阻R11的另一端分别连接芯片IC的第三引脚和电阻R10的一端,电阻R10的另一端分别连接三极管D8的发射极和电阻R9的另一端,三极管D8的基极连接二极管D9的负极。

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