[发明专利]封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201811357620.5 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN110911373A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 廖佑广;蔡承竣;余振华;陈方正;邱文智;巫秉融 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/482;H01L21/683 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括多个第一管芯以及绝缘包封体。所述多个第一管芯各自包括具有弯曲型图案的第一波导路径的第一波导层,其中所述多个第一管芯的所述第一波导层彼此光学耦合以形成光路。所述绝缘包封体包封所述多个第一管芯。
技术领域
本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。
背景技术
光学模块(涉及光学信号)用于需要高性能、紧凑封装及低功耗的高速光通信系统中。光学模块符合通信速度高达100Gbps以上的各种国际标准规范。目前,半导体封装件中光学模块的制造工艺相当复杂且高成本。
发明内容
本发明实施例提供一种包括多个第一管芯及绝缘包封体的封装结构。所述多个第一管芯中的每一个包括具有弯曲型图案的第一波导路径的第一波导层,其中所述多个第一管芯的所述多个第一波导层彼此光学耦合以形成光路。所述绝缘包封体包封所述多个第一管芯。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述中可以最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。实际上,为了清楚起见,可以任意增加或减少各种特征的尺寸。
图1至图8以及图10至图17是示出根据本公开的一些实施例制造封装结构的各个阶段的示意性剖视图。
图9A至图9D是示出根据本公开的一些实施例的封装结构中的系统集成电路的光波导路径的示意性平面图。
图18是示出根据本公开的一些实施例的封装结构中的系统集成电路及半导体装置的相对位置的示意性俯视图。
图19是示出根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖面图。
图20是示出根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖面图。
图21是示出根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖面图。
图22是示出根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖面图。
图23以及图24是示出根据本公开的一些实施例的封装结构的制造方法的流程图。
图25至图27是示出根据本公开的一些实施例制造封装结构的各个阶段的示意性剖视图。
图28至图30是示出根据本公开的一些实施例制造封装结构的各个阶段的示意性剖视图。
[符号的说明]
S10、S20、S30、S40、S50、S60、S210、S220、S222、S224、S230、S232、S234:步骤
100、200、300:半导体晶片
110、110’、210、210’、310、410、410’:半导体衬底
110a、210a、410a:有源表面
110b、130b、210b、230b、320b、330b、500b、S5:底表面
120、220、420:内连线结构
122、222、422、622:层间介电层
124、224、424、624:图案化导电层
130、230、430:硅穿孔
310a:表面
320:光波导层
320a、322a、330a、500a、S6:顶表面
322:第一介电层
324:第二介电层
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