[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

底部电极；

介电层，设置在所述底部电极之上；

顶部电极，设置在所述介电层之上，其中导电桥能够选择性地形成在所述介电层内以将所述底部电极耦合到所述顶部电极；

侧壁间隔件，设置在所述顶部电极及所述介电层周围；以及

热散逸层，设置在所述底部电极与所述介电层之间，其中所述热散逸层包括位于所述侧壁间隔件的第一对外侧壁之下的外围区以及中间区，且所述中间区被所述外围区环绕。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述热散逸层是由热传导率大于100 W/(m·K)的材料构成。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述热散逸层是由氮化铝、碳化硅、氧化铍或氮化硼构成。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器装置被配置成在高电阻状态与低电阻状态之间切换；

其中当处于所述高电阻状态时，导电柱设置在所述介电层的中心区内，所述导电柱具有与所述热散逸层的上表面接触的底表面且具有通过所述介电层的上部部分而与所述顶部电极间隔开的顶表面；且

其中当处于所述低电阻状态时，所述导电柱保持设置在所述介电层的所述中心区内，且形成有导电桥，所述导电桥延伸穿过所述介电层的所述上部部分以将所述导电柱的所述顶表面与所述顶部电极连接。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，

其中当处于所述高电阻状态及当处于所述低电阻状态时，所述导电柱的所述底表面具有第一宽度，且所述导电柱的所述顶表面具有第二宽度，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

内连配线，设置在所述底部电极下方；

金属层，设置在所述顶部电极与所述介电层之间；以及

其中所述侧壁间隔件的所述第一对外侧壁是由所述顶部电极的最外侧壁及所述金属层的最外侧壁界定；且

其中所述热散逸层包括位于所述内连配线之上的所述中间区以及位于所述侧壁间隔件的所述第一对外侧壁之下的所述外围区，其中所述中间区的底表面与所述外围区的底表面实质上齐平。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

内连配线，设置在所述底部电极下方，其中所述侧壁间隔件的所述第一对外侧壁是由所述顶部电极的最外侧壁界定；且

其中所述热散逸层包括位于所述内连配线之上的所述中间区及位于所述侧壁间隔件的所述第一对外侧壁之下的所述外围区，其中所述中间区的顶表面位于所述外围区的底表面下方。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述介电层包括第一对外侧壁及第二对外侧壁，其中所述介电层的所述第二对外侧壁之间的宽度小于所述介电层的所述第一对外侧壁之间的宽度。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，所述第一对外侧壁与所述热散逸层的外侧壁对齐。

10.一种存储器装置，其特征在于，包括：

可编程金属化单元，设置在内连配线之上，其中所述可编程金属化单元包括设置在顶部电极与底部电极之间的金属离子贮存库，其中在所述金属离子贮存库与所述底部电极之间设置有电解质，其中在所述底部电极与所述电解质之间设置有热散逸层；

侧壁间隔件，设置在所述顶部电极、所述金属离子贮存库及所述电解质周围，其中所述热散逸层包括位于所述侧壁间隔件的第一对外侧壁之下的外围区以及中间区，且所述中间区被所述外围区环绕；且

其中所述电解质包括位于所述内连配线之上的导电桥区，其中所述导电桥区是界定在所述热散逸层的顶表面与所述金属离子贮存库的底表面之间，其中导电桥能够在所述导电桥区内形成及被消除。