[发明专利]一种电子器件软错误率评估方法及装置

权利要求书

1.一种电子器件软错误率评估方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取电子器件内¹⁰B同位素的含量；

根据所述¹⁰B同位素的含量判断所述电子器件对热中子是否敏感；

如果所述电子器件对热中子不敏感，则获取所述电子器件在第一高度海拔处的第一总软错误率和所述电子器件在第二高度海拔处的第二总软错误率；

获取第一高能中子加速因子；

根据所述第一总软错误率、所述第二总软错误率和所述第一高能中子加速因子获取所述电子器件在第一高度海拔处由α粒子导致的第一α粒子软错误率和由高能中子导致的第一高能中子软错误率。

2.根据权利要求1所述的电子器件软错误率评估方法，其特征在于，所述获取电子器件内¹⁰B同位素的含量，包括以下步骤：

通过一次离子束轰击所述电子器件表面，获取电子器件表面的原子溅射出的带电的二次离子；

分析所述二次离子的荷/质比，获取¹⁰B同位素的含量。

3.根据权利要求1所述的电子器件软错误率评估方法，其特征在于，所述获取所述电子器件在第一高度海拔处的第一总软错误率，包括以下步骤：

在存储阵列中存入预设模式数据；

在大气天然辐射环境下辐照所述电子器件，获取辐照过程中所述存储阵列中的目标模式数据；

对比所述目标模式数据与所述预设模式数据，根据发生错误的数量获取第一总软错误率。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的电子器件软错误率评估方法，其特征在于，所述获取第一高能中子加速因子，包括以下步骤：

获取所述电子器件在第一高度海拔处的第一高能中子通量；

获取所述电子器件在第二高度海拔处的第二高能中子通量；

根据所述第一高能中子通量和第二高能中子通量获取所述第一高能中子加速因子。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的电子器件软错误率评估方法，其特征在于，根据所述第一总软错误率、所述第二总软错误率和所述第一高能中子加速因子获取所述电子器件在第一高度海拔处由α粒子导致的第一α粒子软错误率和由高能中子导致的第一高能中子软错误率，包括以下步骤：

根据以下函数关系式获取所述电子器件在第一高度海拔处由α粒子导致的第一α粒子软错误率和由高能中子导致的第一高能中子软错误率：

SER_{total_1}＝SER_{α_1}+SER_{高能中子_1}

SER_{total_2}＝SER_{α_2}+SER_{高能中子_2}＝SER_{α_1}+A₁SER_{高能中子_1}

式中，SER_{total_1}为第一总软错误率，SER_{total_2}为第二总软错误率，SER_{α_1}为第一α粒子软错误率，SER_{高能中子_1}为第一高能中子软错误率，SER_{α_2}为第二α粒子软错误率，SER_{高能中子_2}为第二高能中子软错误率，A₁为第一高能中子加速因子。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的电子器件软错误率评估方法，其特征在于，还包括：

如果所述电子器件对热中子敏感，则获取所述电子器件在第三高度海拔处的第三总软错误率、所述电子器件在第四高度海拔处的第四总软错误率和所述电子器件在第五高度海拔处的第五总软错误率；

获取第二高能中子加速因子、第三高能中子加速因子、第一热中子加速因子和第二热中子加速因子；

根据所述第三总软错误率、所述第四总软错误率、所述第五总软错误率、所述第二高能中子加速因子、所述第三高能中子加速因子、所述第一热中子加速因子和所述第二热中子加速因子获取所述电子器件在第三高度海拔处由α粒子导致的第三α粒子软错误率、由高能中子导致的第三高能中子软错误率和由热中子导致的第一热中子软错误率。