[发明专利]电子锁控制装置与电子锁

权利要求书

1.一种电子锁控制装置，其特征在于，包括上管驱动电路、下管驱动电路以及控制信号模块，所述控制信号模块输出第一控制信号和第二控制信号；

所述控制信号模块分别与所述上管驱动电路以及所述下管驱动电路连接，所述上管驱动电路以及所述下管驱动电路分别与待控制电子锁连接；

当需所述待控制电子锁锁止时，所述控制信号模块输出第一电平的第一控制信号和第二电平的第二控制信号至所述上管驱动电路和所述下管驱动电路，所述上管驱动电路中第一通道处于导通状态、且第二通道处于截止状态，所述下管驱动电路中第一通道处于导通状态、且第二通道处于截止状态；当需所述待控制电子锁解锁时，所述控制信号模块输出第二电平的第一控制信号和第一电平的第二控制信号至所述上管驱动电路和所述下管驱动电路，所述上管驱动电路中第一通道处于截止状态、且第二通道处于导通状态，所述下管驱动电路中第一通道处于截止状态、且第二通道处于导通状态；当需所述待控制电子锁处于状态保持状态时，所述控制信号模块输出第二电平的第一控制信号和第二电平的第二控制信号至所述上管驱动电路和所述下管驱动电路，所述上管驱动电路中第一通道与第二通道处于截止状态，所述下管驱动电路中第一通道与第二通道处于截止状态。

2.根据权利要求1所述的电子锁控制装置，其特征在于，还包括漏源电流检测电路，所述漏源电流检测电路分别与所述控制信号模块以及所述下管驱动电路连接；

所述漏源电流检测电路检测所述待控制电子锁中电流，并输出检测结果至所述控制信号模块，所述控制信号模块检测到所述待控制电子锁中电流大于预设阈值时，输出第二电平的第一控制信号和第二电平的第二控制信号至所述上管驱动电路以及所述下管驱动电路，以使所述上管驱动电路中第一通道与第二通道处于截止状态，以及使所述下管驱动电路中第一通道与第二通道处于截止状态。

3.根据权利要求1所述的电子锁控制装置，其特征在于，所述上管驱动电路包括上管MOS驱动电路，所述下管驱动电路包括下管MOS驱动电路。

4.根据权利要求1或3所述的电子锁控制装置，其特征在于，所述上管驱动电路包括双P沟道MOS管，所述下管驱动电路包括双N沟道MOS管。

5.根据权利要求4所述的电子锁控制装置，其特征在于，所述下管驱动电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；

所述第一电阻一端与NMOS管中第一栅极连接，所述第一电阻另一端与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端以及第四电阻的一端连接、并接地，所述第二电阻的另一端与所述NMOS管中第二栅极连接，所述第三电阻的另一端分别与所述第四电阻的另一端以及所述NMOS管中第一源极与第二源极连接，所述NMOS管中第一栅极用于接收所述控制信号模块的第一控制信号，所述NMOS管中第二栅极用于接收所述控制信号模块的第二控制信号，所述NMOS管中第一漏极以及第二漏极分别与所述待控制电子锁连接。

6.根据权利要求5所述的电子锁控制装置，其特征在于，所述上管驱动电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一二极管、第二二极管以及双P沟道PMOS管，所述第一NMOS管的栅极接收第一控制信号，所述第二NMOS管的栅极接收第二控制信号，第五电阻的两端分别与第一NMOS管的源极和漏极连接，第六电阻的两端分别与第二NMOS管的源极和漏极连接，所述第七电阻的一端分别与所述第一NMOS管的漏极、所述第一二极管的正极、所述双P沟道PMOS管中第一栅极连接，所述第七电阻的另一端与所述第一二极管的负极连接，所述第八电阻的一端与所述第二NMOS管的漏极、所述第二二极管的正极、所述双P沟道PMOS管中第二栅极连接，所述第八电阻的另一端与所述第二二极管的负极连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的负极与所述双P沟道PMOS管中源极连接。

7.根据权利要求1所述的电子锁控制装置，其特征在于，所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。

8.根据权利要求1所述的电子锁控制装置，其特征在于，所述控制信号模块包括U1800型号的处理器。