[发明专利]一种电光调制方法、电光调制设备及其应用和再生放大器在审
| 申请号： | 201811358128.X | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109254424A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 艾庆康;舒严 | 申请（专利权）人： | 北京莱泽光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/07;G02F1/01 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 吴乃壮 |
| 地址： | 101300 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电光晶体 加压 第二表面 第一表面 电光调制 正向 电光调制设备 再生放大器 激光 激光偏振态 电光开关 交替变化 晶体通光 驱动装置 输出方向 相对设置 玻片 加载 应用 发射 制作 | ||
1.一种电光调制方法，其特征在于，包括以下步骤：
发射激光依次通过玻片和电光晶体，所述电光晶体包括相对设置的第一表面和第二表面；
对所述电光晶体的所述第一表面进行正向加压，对所述电光晶体的所述第二表面进行反向加压，其中，对所述电光晶体的所述第一表面进行正向加压和对所述电光晶体的所述第二表面进行反向加压的两个步骤交替进行。
2.如权利要求1所述的电光调制方法，其特征在于，所述玻片为四分之一玻片、八分之一玻片或十六分之一玻片。
3.如权利要求1所述的电光调制方法，其特征在于，所述电光晶体为BBO晶体、KTP晶体或RTP晶体。
4.如权利要求1所述的电光调制方法，其特征在于，对所述电光晶体的所述第一表面进行正向加压时，电光效应使得X方向偏振光相位超前Y方向偏振光相位，合成后的偏振光在经过所述电光晶体后表现为右旋；
对所述电光晶体的所述第二表面进行反向加压时，电光效应使得Y方向偏振光相位超前X方向偏振光相位，合成后的偏振光在经过所述电光晶体后表现为左旋。
5.一种电光调制设备，其特征在于，包括沿光路设置的玻片和电光晶体，所述电光晶体包括相对设置的第一表面和第二表面；
发射激光依次通过所述玻片和所述电光晶体；
对所述电光晶体的所述第一表面进行正向加压，对所述电光晶体的所述第二表面进行反向加压，其中，对所述电光晶体的所述第一表面进行正向加压和对所述电光晶体的所述第二表面进行反向加压的两个步骤交替进行。
6.如权利要求5所述的电光调制设备，其特征在于，所述玻片为四分之一玻片、八分之一玻片或十六分之一玻片。
7.如权利要求5所述的电光调制设备，其特征在于，所述电光晶体为BBO晶体、KTP晶体或RTP晶体。
8.一种如权利要求5至7任一项所述的电光调制设备在电光调Q、电光腔倒空、再生放大器或腔外电光开关中的应用。
9.一种再生放大器，其特征在于，包括沿光路依次设置的第一偏振片、隔离器、第二偏振片、玻片、电光晶体和第一腔镜，以及沿所述第二偏振片的反射光路方向依次设置的增益介质和第二腔镜，所述电光晶体包括相对设置的第一表面和第二表面；
对所述电光晶体的所述第一表面进行正向加压，对所述电光晶体的所述第二表面进行反向加压，其中，对所述电光晶体的所述第一表面进行正向加压和对所述电光晶体的所述第二表面进行反向加压的两个步骤交替进行。
10.如权利要求9所述的再生放大器，其特征在于，所述玻片为四分之一玻片、八分之一玻片或十六分之一玻片。
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