[发明专利]一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法在审
申请号: | 201811358231.4 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN109573995A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 陈淑芬;王明昊;王敏;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | C01B32/194 | 分类号: | C01B32/194;H01L51/44 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 姚姣阳 |
地址: | 210023 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯 碱性氧化物 修饰 聚甲基丙烯酸甲酯 电子元器件性能 石墨烯薄膜 阳极 光电性能 基片表面 技术手段 刻蚀铜箔 清洗烘干 铜箔表面 性能改善 薄膜层 苯甲醚 目标基 支撑层 紫外灯 烘干 铜膜 旋涂 蒸镀 制备 清洗 照射 标准化 转入 室内 | ||
1.一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
S1:在长有石墨烯的铜箔表面旋涂一层苯甲醚聚或PMMA聚甲基丙烯酸甲酯,作为石墨烯支撑层,然后刻蚀铜箔;
S2:将得到的石墨烯薄膜转移到目标基底上进行标准化清洗后烘干;
S3:在石墨烯基片表面制备一层碱性氧化物膜;将清洗烘干后的石墨烯基片转入真空室内蒸镀一层铜膜,并放置于紫外灯下照射5~10 min,得到性能改善的石墨烯阳极。
2.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:所述石墨烯为机械剥离的石墨烯,通过外延生长法或气相沉积法制备得到单层或多层石墨烯,所述石墨基片层通过氧化还原法制备得到。
3.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:
所述S1步骤中,在铜箔表面旋涂的PMMA的膜厚度为300-1000nm,PMMA的旋涂条件为10-4000 rpm。
4.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:所述S1步骤中,所述铜箔的刻蚀液为过硫酸铵或氯化铁。
5.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:所述S2步骤中,目标基底为玻璃、硅片、金属箔、聚对苯二甲酸乙二酯PET、聚酰亚胺PI或纤维膜等刚性或柔性基底。
6.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:所述S3步骤中,碱性氧化物膜的厚度为0.1~100 nm,碱性氧化物为金属氧化物,所述氧化物为氧化钼、氧化钴、氧化钨、氧化铜或氧化镍。
7.根据权利要求6所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:所述金属氧化物的制备方法为溶液旋涂法、电子束沉积或磁控溅射。
8.根据权利要求6所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:所述金属氧化物可由金属氧化为金属氧化物。
9.根据权利要求6所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:金属氧化物膜,价带或最高占据分子轨道介于石墨烯功函数与相邻传输材料的价带或最高占据分子轨道之间,且呈递增或递减趋势,用作阳极修饰层。
10.根据权利要求6所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法,其特征在于:金属氧化物膜,导带或最低未占据分子轨道介于石墨烯功函数与相邻传输材料的导带或最低未占据分子轨道之间,且呈递增或递减趋势,用作阴极修饰层。
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