[发明专利]基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；

所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极；

所述上表面电极作为栅极直接和绝缘层通过接触相连，下表面电极通过导线连接源极，实现在栅极和源极之间产生电压差，在绝缘层和半导体层界面处感应出载流子，实现自供电栅压的调控作用；将所述源极和漏极与外部电源相连，外加源漏电压，使晶体管器件正常工作；

在使用过程中，通过施加压力在上表面电极和下表面电极之间产生电压差。

2.根据权利要求1所述的基于自供电栅的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述上表面电极和下表面电极的材质为金或银，厚度为30 nm至50 nm；所述压电薄膜或铁电驻极体的厚度为15 um至100 um。

3.根据权利要求1所述的基于自供电栅的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘层为厚度为500 nm至2000 nm的有机聚合物绝缘层材料或厚度为60 nm至300 nm的无机绝缘层材料。

4.根据权利要求1所述的基于自供电栅的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有机半导体层的厚度为30 nm至50 nm；所述源极和漏极的材质为金、银或铝，厚度为20 nm至80 nm。

5.根据权利要求1所述的基于自供电栅的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述下表面电极通过导线连接源极；所述源极和漏极与外部电源相连。