[发明专利]半导体制造设备及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体制造设备，经配置以处理具有一个或多个导电层的半导体物件，该半导体制造设备包括：

一处理反应室；

一第一电极，设置于该处理反应室内；

一第二电极，设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方；

一射频电源，电连接至该第一电极；以及

一个或多个光源产生器，设置于该处理反应室内以照射该半导体，从而释放该半导体物件上的电荷。

2.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该光源产生器经配置以照射一光线，该光线的波长在10纳米至400纳米的范围内。

3.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该光源产生器于一水平方向上彼此间隔开。

4.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该光源产生器设置于该半导体物件的上方。

5.如权利要求1所述的半导体制造设备，还包括一气体供应系统，该气体供应系统连接至该处理反应室的入口，并且经配置以将一种或多种化学气体引入该处理反应室。

6.如权利要求1所述的半导体制造设备，还包括一排气系统，该排气系统连接至该处理反应室的出口，并且经配置以从该处理反应室移除该化学气体。

7.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该第二电极平行于该第一电极。

8.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该第二电极接地。

9.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该第二电极是浮动的。

10.一种半导体制造设备的操作方法，该半导体制造设备包括一处理反应室；一第一电极，设置于该反应室内；一第二电极，该第二电极平行于该第一电极；一射频电源，电连接至该第一电极；一个或多个光源产生器，设置于该处理反应室内；以及一气体供应系统与一排气系统，该气体供应系统连通该排气系统与该处理反应室；该操作方法包括：

移动一半导体物件至该处理反应室内；

打开该射频电源以提供一偏置功率来迫使游离分子至该半导体物件的一表面并与该半导体物件反应；

打开该光源产生器以照射紫外光来激发该半导体物件上的自由电子；

关闭该射频电源；以及

将该半导体物件移出该处理反应室。

11.如权利要求10所述的操作方法，还包括：

关闭该射频电源后关闭该光源产生器。

12.如权利要求10所述的操作方法，还包括：

在该半导体物件被移出该处理反应室之后，关闭该光源产生器。

13.如权利要求10所述的操作方法，还包括：

打开该射频电源，并且打开该光源产生器。

14.如权利要求10所述的操作方法，其中该射频电源及该光源产生器同时打开。

15.如权利要求10所述的操作方法，还包括：

当该射频电源打开时，将一种或多种化学气体引入该处理反应室。

16.如权利要求15所述的操作方法，还包括：

当该射频电源关闭时，停止将该化学气体引入该处理反应室。

17.如权利要求16所述的操作方法，还包括：

当RF电源关闭时，吹除该处理反应室的该化学气体。

18.如权利要求10所述的操作方法，其中该紫外光的波长在10纳米至400纳米的范围内。