[发明专利]一种OLED显示器件制备方法

权利要求书

1.一种OLED显示器件制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

（1）制备OLED显示器件基板；

（2）以磁控溅射法制备TiNx薄膜阳极层，并将该阳极层覆盖在基板上；

（3）在阳极层表面制备有机发光层，在有机发光层表面制备透明阴极层；

（4）制备聚合物溶液，聚合物溶液通过静电纺丝形成聚合物的纳米纺丝图案，在聚合物的纳米纺丝图案上涂覆透明粘合剂形成复合薄膜散射层，将复合薄膜散射层贴合在上述步骤制备的透明阴极层一侧；

（5）以喷墨打印方式在复合薄膜散射层表面上形成选择性覆盖所述复合薄膜散射层表面的疏水层，以选择性原子沉淀方式在所述复合薄膜散射层表面未被所述疏水层覆盖的区域上形成光耦合率提升层。

2.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于，步骤（2）所述以磁控溅射法制备TiNx薄膜阳极层的方法为：选用洁净玻璃为衬底，使用磁控溅射系统，直流溅射纯度99.99%的Ti靶，通纯度为99.99%的氮气，制备TiNx薄膜阳极层；所述磁控溅射系统的溅射功率为4kw，氮气流量为8.4-8.6sccm。

3.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（4）所述聚合物为聚丙烯腈，所述聚丙烯腈在聚丙烯腈溶液中的质量分数为8%-13%，所述聚丙烯腈溶液中的溶剂为二甲基亚砜、二甲基甲酰胺或硫氢化钠中的一种。

4.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（4）所述静电纺丝的工作电压为6kV-8kV，工作时间为5min-8min。

5.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（4）所述复合薄膜散射层的厚度为430-620nm。

6.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（5）所述疏水层为高分子材料，所述光耦合率提升层为金属氧化物材料。

7.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（5）所述复合薄膜散射层表面划分为周期性分布且间隔设置的发光区域以及位于所述发光区域之间的非发光区域，所述光耦合率提升层覆盖所述发光区域，所述疏水层设置在所述非发光区域内。

8.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（5）所述以喷墨打印方式在复合薄膜散射层表面上形成选择性覆盖所述复合薄膜散射层表面的疏水层步骤之前，还包括：在所述复合薄膜散射层表面上形成无机材料制成的第一水氧阻挡层；在所述第一水氧阻挡层上形成有机材料制成的第一应力释放层；在所述第一应力释放层上形成无机材料制成第二水氧阻挡层，其中所述疏水层和所述光耦合率提升层形成于所述第二水氧阻挡层上。

9.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（5）所述以选择性原子沉淀方式在所述复合薄膜散射层表面未被所述疏水层覆盖的区域上形成光耦合率提升层的步骤之后，还包括：在所述疏水层和所述光耦合率提升层上形成无机材料制成第三水氧阻挡层和有机材料制成的第二应力释放层。

10.根据权利要求1所述一种OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤（5）所述疏水层的厚度大于所述光耦合率提升层的厚度。