[发明专利]以反应器进行蚀刻的方法及蚀刻系统

权利要求书

1.一种以反应器进行蚀刻的方法，该反应器具有一喷淋头，且该喷淋头具有一顶板及一底板，其中该以反应器进行蚀刻的方法包括：

分别以一第一气体及一第二气体填充在该喷淋头的该顶板的一第一气体通道及一第二气体通道；

实施一第一工艺周期，该第一工艺周期包括旋转该顶板或该底板至一第一位置，以容许该第一气体经由该第一气体通道流动通过该喷淋头，且限制该第二气体经由该第二气体通道流动通过该喷淋头；以及

实施一第二工艺周期，该第二工艺周期包括旋转该顶板或该底板至一第二位置，以容许该第二气体经由该第二气体通道流动通过该喷淋头，且限制该第一气体经由该第一气体通道流动通过该喷淋头。

2.如权利要求1所述以反应器进行蚀刻的方法，其中于实施该第二工艺周期的步骤中还包括在该第二气体经由该第二气体通道流过该喷淋头之前，从该反应器去除该第一气体。

3.如权利要求1所述的方法，其中该方法还包括：

通过一射频信号施加至该反应器的一静电吸座，以从该第二气体产生一等离子体。

4.如权利要求3所述的方法，其中该射频信号在100瓦特至500瓦特之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第二气体包括全氟碳化物、氧气、及氩气的一混合物。

6.一种以反应器进行蚀刻的方法，该反应器具有一喷淋头及一晶圆吸座，其中该以反应器进行蚀刻的方法包括：

旋转该喷淋头的一顶板或一底板至一第一位置，以容许一气体流过该喷淋头；

实施一表面改质周期，包括：

施加一负直流偏压至该喷淋头；以及

施加一射频功率信号至该晶圆吸座；以及

实施一蚀刻周期，包括：

从该喷淋头去除该负直流偏压；以及

降低施加至该晶圆吸座的该射频功率信号。

7.如权利要求6所述的以反应器进行蚀刻的方法，其中于降低该射频功率信号的步骤中还包括降低该射频功率信号50瓦至100瓦。

8.如权利要求6所述的方法，其中该底板覆盖一材料，且该材料暴露在等离子体离子下会产生自由基。

9.如权利要求8所述的以反应器进行蚀刻的方法，其中该材料包括一金属、一金属合金、一铁电材料、一介电质、或一复合氧化物。

10.如权利要求9所述的方法，其中该金属包括铂、铱、钌、铼、金、钯、银、铜、铝、镍、钛、钨、锌、铟、锡、钒、锆、铬、钴、钇、铌、钽、钼、铁、铅、或铍。

11.如权利要求9所述的方法，其中该复合氧化物包括钛酸锶、钌酸锶、钛酸钯、锶－铍－钽氧化物、三氧化二钛、铌酸锂、锆钛酸铅、或锶－铍－钽－铌氧化物。

12.如权利要求6所述的以反应器进行蚀刻的方法，其中于实施该表面改质周期的步骤中还包括从一气体混合物产生一等离子体，且该气体混合物包括全氟碳化物、氧气、及氩气。

13.如权利要求6所述的方法，其中于实施该蚀刻周期的步骤中还包括从一气体混合物产生一等离子体，且该气体混合物包括全氟碳化物、氧气、及氩气。