[发明专利]一种半导体工件清洗方法

权利要求书

1.一种半导体工件清洗方法，其特征在于，包括：

将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；

进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；

进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。

2.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述二次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。

3.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。

4.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：对进行完所述三次清洗操作后的所述半导体工件进行干燥，温度为70～80℃。

5.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述第一预设时间段为8～10min；所述第一预设频率为100～150kHZ；所述去离子水的温度维持在35～40℃。

6.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述第二预设时间段为18～22min；所述第二预设频率为100～150kHZ；所述碱溶液的温度维持在10～20℃。

7.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述第三预设时间段为8～10min；所述第三预设频率为100～150kHZ；所述酸溶液的温度维持在10～20℃。

8.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述碱溶液包括20～30kg的NaOH、4～6L的碱性消泡剂与400～600L的去离子水。

9.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述酸溶液为质量浓度为3％的柠檬酸溶液。