[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

第一有源区和第二有源区，位于所述半导体衬底上且由隔离部件隔开；

场效应晶体管，形成在所述半导体衬底上，其中，所述场效应晶体管包括：

栅叠件，设置在所述半导体衬底上且从所述第一有源区延伸至所述第二有源区；和

源极和漏极，形成在所述第一有源区上且所述栅叠件介于所述源极和漏极之间；以及

掺杂部件，形成在所述第二有源区上并且被配置为所述场效应晶体管的栅极接触件。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掺杂部件在所述第二有源区上从位于所述栅叠件的第一侧的第一区延伸到位于所述栅叠件的第二侧的第二区，所述第二侧与所述第一侧相对。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述栅叠件包括所述第一有源区上的第一栅极介电层和所述第二有源区上的第二栅极介电层，其中，所述第一栅极介电层具有第一厚度，所述第二栅极介电层具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述栅叠件还包括设置在所述第一栅极介电层和所述第二栅极介电层上的栅电极，其中，所述栅电极是导电部件并且从所述第一有源区上的所述第一栅级介电层连续延伸到所述第二有源区上的所述第二栅极介电层，并且，没有导电部件直接置于所述栅电极上。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述掺杂部件是用第一类型掺杂剂重掺杂的。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括：掺杂阱，所述掺杂阱掺杂有与所述第一类型掺杂剂相反的第二类型掺杂剂，其中，所述掺杂阱从所述第一有源区延伸到所述第二有源区，并且，所述掺杂阱包围所述掺杂部件。

7.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

第一有源区和第二有源区，位于所述半导体衬底上，其中，所述第一有源区和所述第二有源区通过隔离部件横向隔开；

栅叠件，设置在所述半导体衬底上且从所述第一有源区延伸到所述第二有源区；

源极和漏极，形成在所述第一有源区上并且所述栅叠件介于所述源极和所述漏极之间；以及

掺杂部件，形成在第二有源区上且从所述栅叠件下面的第一区延伸到横向超出所述栅叠件的第二区，

其中，所述源极、所述漏极和所述栅叠件被配置为场效应晶体管，并且所述掺杂部件被配置为所述场效应晶体管的所述栅叠件的栅极接触件。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，还包括：

第一导电部件，置于所述第二区内的所述掺杂部件上，并且连接到信号线以用于至所述栅叠件的信号；

第二导电部件，形成在所述源极上并且被配置为所述源极的接触部件；以及

第三导电部件，形成在所述漏极上，并且被配置为所述漏极的接触部件。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，还包括：掺杂有第一类型掺杂剂的掺杂阱，其中，所述掺杂阱横向包围所述第一有源区、所述第二有源区和所述掺杂部件，其中，所述掺杂部件重掺杂有与所述第一类型掺杂剂相反的第二类型掺杂剂。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底上形成隔离部件、第一有源区和第二有源区，其中，所述第一有源区和所述第二有源区通过所述隔离部件横向隔开；

在所述半导体衬底上形成栅叠件，所述栅叠件从所述第一有源区延伸到所述第二有源区；

在所述第一有源区上形成源极和漏极，并且位于所述第一有源区上且位于所述栅叠件下方的沟道介于所述源极和所述漏极之间；以及

在所述第二有源区上形成掺杂部件，所述掺杂部件从所述栅叠件下面的第一区延伸到横向超出所述栅叠件的第二区，

其中，所述源极、所述漏极、所述沟道和所述栅叠件被配置为场效应晶体管，所述掺杂部件被配置为所述场效应晶体管的所述栅叠件的栅极接触件。